技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體檢測(cè)工藝，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
[0002] 在半導(dǎo)體制造工藝中，有一種重要的檢測(cè)設(shè)備為SEM (scanningelectronmicroscope:掃描電子顯微鏡)，其主要用于不同膜層關(guān)鍵尺寸(⑶:criticaldimens1n)的量測(cè)，比如掩膜版的線寬、多晶娃柵極寬度、金屬導(dǎo)線寬度，以保證關(guān)鍵尺寸符合相應(yīng)要求，提高產(chǎn)品的良率和可靠性。因此，在半導(dǎo)體制造工藝中，SEM也稱為⑶-SEM。在中國(guó)專利02143912.5中詳細(xì)介紹了 SEM機(jī)臺(tái)的量測(cè)原理及其使用方法。SEM機(jī)臺(tái)在半導(dǎo)體制造工藝中，應(yīng)用最多的是光刻階段，這是由于為了保證光刻的關(guān)鍵尺寸的準(zhǔn)確性，晶圓在黃光區(qū)經(jīng)曝光顯影后，需帶著光刻膠圖形在SEM機(jī)臺(tái)上進(jìn)行量測(cè)，然后確認(rèn)光刻膠圖形的尺寸大小，判斷是否符合相應(yīng)的精度要求。
[0003] 現(xiàn)有檢測(cè)晶圓光刻膠層關(guān)鍵尺寸的方法為:先取一片經(jīng)曝光顯影后的標(biāo)準(zhǔn)晶圓，加載到SEM機(jī)臺(tái)內(nèi)；尋找對(duì)準(zhǔn)區(qū)位置(locking corner)進(jìn)行定位并拍照,記錄為對(duì)準(zhǔn)區(qū)坐標(biāo)和標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形；然后尋找檢測(cè)區(qū)位置，定位并拍照，記錄為檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)和標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；退出晶圓。將與標(biāo)準(zhǔn)晶圓同批次的待檢測(cè)晶圓放入SEM，通過(guò)記錄的標(biāo)準(zhǔn)晶圓的對(duì)準(zhǔn)區(qū)坐標(biāo)找出待測(cè)晶圓的對(duì)準(zhǔn)區(qū)位置，并尋找的對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形與標(biāo)準(zhǔn)晶圓的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形比較，確定對(duì)準(zhǔn)區(qū)位置；然后根據(jù)記錄的標(biāo)準(zhǔn)晶圓的檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)，尋找到檢測(cè)區(qū)位置，并將尋找的檢測(cè)區(qū)圖形與標(biāo)準(zhǔn)晶圓的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形比較，確定檢測(cè)區(qū)位置，進(jìn)行量測(cè)；保存量測(cè)結(jié)果；退出晶圓。上述晶圓的檢測(cè)方法，對(duì)于每一層光刻膠層，都要先取一片曝光顯影好相應(yīng)光刻膠層的標(biāo)準(zhǔn)晶圓加載到SEM機(jī)臺(tái)，尋找標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形和標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形，才能進(jìn)行同批次其他晶圓的檢測(cè)；因此，上述方法占用了大量的生產(chǎn)線SEM機(jī)臺(tái)檢測(cè)時(shí)間，且由于每次都要尋找標(biāo)準(zhǔn)晶圓上的對(duì)準(zhǔn)區(qū)位置和檢測(cè)區(qū)位置，如果檢測(cè)區(qū)位置尋找錯(cuò)誤，則后續(xù)檢測(cè)同批次的晶圓數(shù)據(jù)也是不準(zhǔn)確，這會(huì)造成大批晶圓報(bào)廢，極大影響了生產(chǎn)成本和生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容
[0004] 本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體器件檢測(cè)方法，以減少因檢測(cè)晶圓光刻膠層關(guān)鍵尺寸是否符合要求而占用大量生產(chǎn)線上SEM機(jī)臺(tái)的檢測(cè)時(shí)間，并提高檢測(cè)效率及正確率，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。
[0005] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種半導(dǎo)體器件的檢測(cè)方法，包括以下步驟:提供標(biāo)準(zhǔn)光掩膜，所述光掩膜包含有光刻信息；獲取光刻信息中晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息；將坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息；建立量測(cè)圖形模板，所述量測(cè)圖形模板包含標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；將具有由標(biāo)準(zhǔn)光掩膜定義的圖案化光刻膠層的晶圓依次放入SEM中，通過(guò)SEM坐標(biāo)信息找出晶圓檢測(cè)區(qū)；將晶圓檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形進(jìn)行比較，如果晶圓檢測(cè)區(qū)圖形與標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形一致，則找出的檢測(cè)區(qū)位置正確；如晶圓檢測(cè)區(qū)圖形與標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形不一致，則檢測(cè)區(qū)位置有偏差。
[0006] 優(yōu)選的，所述將坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息的方法為采用計(jì)算機(jī)處理。
[0007] 優(yōu)選的，所述量測(cè)圖形模板還包含標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形。
[0008] 優(yōu)選的，在晶圓檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形進(jìn)行比較后，還包括步驟:量測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)圖形的關(guān)鍵尺寸。
[0009] 優(yōu)選的，所述坐標(biāo)信息通過(guò)布局軟件獲取。
[0010] 優(yōu)選的，建立量測(cè)圖形模版包括如下步驟:提供標(biāo)準(zhǔn)晶圓，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓包含有圖案化的光刻膠層；加載至SEM中；尋找對(duì)準(zhǔn)區(qū)位置，保存為標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形；尋找檢測(cè)區(qū)位置，保存為標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；退出晶圓。
[0011] 優(yōu)選的，建立量測(cè)圖形模版包括如下步驟:從SEM中獲取標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形，并保存；從SEM中獲取標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形，并保存。
[0012] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0013] 先從標(biāo)準(zhǔn)光掩膜的光刻信息中獲取晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息；然后將坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息；建立量測(cè)圖形模板，所述量測(cè)圖形模板包含標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；由于本發(fā)明的檢測(cè)方法采用一套共同的量測(cè)圖形模板，不同光刻膠層只需根據(jù)從標(biāo)準(zhǔn)光掩膜中獲取的檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息即可，避免了傳統(tǒng)檢測(cè)方法中，每層光刻膠層的檢測(cè)都需要先用標(biāo)準(zhǔn)晶圓尋找檢測(cè)區(qū)位置，占用大量生產(chǎn)線檢測(cè)時(shí)間的問(wèn)題，提高了晶圓檢測(cè)的效率，并降低出錯(cuò)率，有利于生產(chǎn)效率的提高。
附圖說(shuō)明
[0014] 圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件檢測(cè)方法具體實(shí)施例流程圖；
[0015] 圖2a和圖2b是本發(fā)明建立量測(cè)圖形模板示意圖；
[0016] 圖3至圖4c是本發(fā)明半導(dǎo)體器件檢測(cè)方法的具體實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
[0017] 發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有檢測(cè)晶圓光刻膠層關(guān)鍵尺寸的檢測(cè)方法中，是先取一片曝光顯影好的標(biāo)準(zhǔn)晶圓，加載到SEM機(jī)臺(tái)內(nèi)，尋找對(duì)準(zhǔn)區(qū)位置(locking corner)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),然后再尋找到檢測(cè)區(qū)位置，記錄檢測(cè)區(qū)位置及標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形，量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)晶圓檢測(cè)區(qū)的關(guān)鍵尺寸并保存量測(cè)數(shù)據(jù)，退出晶圓；然后進(jìn)行同批次的晶圓檢測(cè)。由于每一層光刻膠層關(guān)鍵尺寸的檢測(cè)，都需要先取一片曝光顯影好相應(yīng)光刻膠層的標(biāo)準(zhǔn)晶圓加載到SEM機(jī)臺(tái)尋找記錄標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形，才能進(jìn)行后續(xù)的同批次晶圓的檢測(cè)，而在半導(dǎo)體制造中，所需光刻膠層的數(shù)量眾多，因此，現(xiàn)有的檢測(cè)方法會(huì)占用大量生產(chǎn)線上SEM機(jī)臺(tái)的檢測(cè)時(shí)間，影響了生產(chǎn)線的生產(chǎn)效率；而且，每一層光刻膠層都要重新尋找標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)位置，容易出錯(cuò)，一旦標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)位置尋找錯(cuò)誤，則會(huì)使得后續(xù)的晶圓檢測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確，導(dǎo)致大批晶圓報(bào)廢，生產(chǎn)成本上升。
[0018] 針對(duì)上述問(wèn)題，發(fā)明人提出了一種解決方案，具體如下:如圖1所示，步驟S11，提供標(biāo)準(zhǔn)光掩膜，所述光掩膜包含有光刻信息；步驟S12，獲取光刻信息中晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息；步驟S13，將坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息；步驟S14，建立量測(cè)圖形模板，所述量測(cè)圖形模板包含標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；步驟S15，將具有由標(biāo)準(zhǔn)光掩膜定義的圖形化光刻膠層的待測(cè)晶圓依次放入SEM中，通過(guò)SEM坐標(biāo)信息尋找出待測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)；步驟S16，將尋找的待測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板中的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形比較，并判斷是否一致；步驟S17，如果待測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板中的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形一致，則量測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)關(guān)鍵尺寸的大小，并記錄量測(cè)結(jié)果；步驟S18，如果待測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板中的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形不一致，則調(diào)整尋找的待測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)位置，使其與標(biāo)準(zhǔn)晶圓檢測(cè)區(qū)一致；步驟S19，量測(cè)待測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)關(guān)鍵尺寸的大小，并記錄量測(cè)結(jié)果。
[0019] 本發(fā)明的半導(dǎo)體檢測(cè)方法，先從標(biāo)準(zhǔn)光掩膜的光刻信息中獲取晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息；然后將坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息；建立量測(cè)圖形模板，所述量測(cè)圖形模板包含標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；由于本發(fā)明的檢測(cè)方法采用一套共同的量測(cè)圖形模板，不同光刻膠層只需根據(jù)從標(biāo)準(zhǔn)光掩膜中獲取的檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息即可，避免了傳統(tǒng)檢測(cè)方法中，每層光刻膠層的檢測(cè)都需要先用標(biāo)準(zhǔn)晶圓尋找檢測(cè)區(qū)位置，占用大量生產(chǎn)線檢測(cè)時(shí)間的問(wèn)題，提高了晶圓檢測(cè)的效率，并降低出錯(cuò)率，有利于生產(chǎn)效率的提聞。
[0020] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中所述量測(cè)圖形模板包含有標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖形和標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形，由于檢測(cè)區(qū)圖形是為了檢測(cè)晶圓上的光刻膠層經(jīng)曝光顯影后，相應(yīng)CD是否符合要求，并不是形成半導(dǎo)體器件的功能區(qū)域，因此在一種或幾種相似工藝中，每一層光刻膠層的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖形是相同的，每一層光刻膠層的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形也是基本相同的，所以可以建立一套共同的量測(cè)圖形模板，而不是每一層光刻膠層都去建立標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形。不過(guò)，對(duì)于特殊工藝的晶圓檢測(cè)，量測(cè)圖形模板需要重新建立；對(duì)于相似工藝的晶圓檢測(cè)，為了提高準(zhǔn)確度，也可以針對(duì)一種工藝建立一套量測(cè)圖形模板。
[0021] 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0022] 步驟S11，提供標(biāo)準(zhǔn)光掩膜，所述標(biāo)準(zhǔn)光掩膜包含有光刻信息。
[0023] 所述光刻信息在形成標(biāo)準(zhǔn)光掩膜時(shí)即產(chǎn)生，包含了用以在曝光時(shí)定義圖形的形狀、大小和位置等信息，尤其是包含具有相應(yīng)光刻膠層的晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息；所述光刻信息一般存儲(chǔ)在設(shè)計(jì)光掩膜的設(shè)備或黃光區(qū)的光刻機(jī)臺(tái)的存儲(chǔ)介質(zhì)中，并可以轉(zhuǎn)移到計(jì)算機(jī)設(shè)備中。
[0024] 步驟S12，獲取光刻信息中晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息。
[0025] 利用網(wǎng)絡(luò)或者移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)將形成光掩膜時(shí)產(chǎn)生的光刻信息轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的計(jì)算機(jī)設(shè)備。所述光刻信息包含有各種光掩膜的信息，包括用以在曝光時(shí)定義圖形的形狀、大小和位置及其他信息，這里主要獲取光刻信息中晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息；所述坐標(biāo)信息通過(guò)布局軟件獲取。
[0026] 步驟S13，將坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息。
[0027] 所述轉(zhuǎn)化方式是采用計(jì)算機(jī)設(shè)備處理，將從光刻信息中獲取的晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的相應(yīng)坐標(biāo)信息，包含坐標(biāo)信息的文件格式的轉(zhuǎn)化及坐標(biāo)數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換。所述SEM坐標(biāo)信息包含晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)。
[0028] 步驟S14，建立量測(cè)圖形模板，所述量測(cè)圖形模板包含標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形。
[0029] 本實(shí)施例中，量測(cè)圖形模板可以利用SEM機(jī)臺(tái)上保留的測(cè)量過(guò)的量測(cè)圖形作為量測(cè)圖形模板。如果利用保留的量測(cè)圖形作為量測(cè)圖形模板，則不需要到生產(chǎn)線上SEM機(jī)臺(tái)上加載晶圓進(jìn)行建立；只需在保存有量測(cè)圖形的服務(wù)器上直接調(diào)取已有的量測(cè)圖形建立或者通過(guò)網(wǎng)絡(luò)連接遠(yuǎn)程調(diào)取SEM機(jī)臺(tái)上的已有的量測(cè)圖形建立即可；具體為，調(diào)取現(xiàn)有量測(cè)圖形，查看并確認(rèn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形和標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形，保存為量測(cè)圖形模板。對(duì)于特殊工藝的晶圓檢測(cè)，建立量測(cè)圖形模板，需要到生產(chǎn)線上SEM機(jī)臺(tái)上操作。如圖2a和圖2b所示，將標(biāo)準(zhǔn)晶圓加載到SEM機(jī)臺(tái)內(nèi)；手動(dòng)移動(dòng)鼠標(biāo)尋找到對(duì)準(zhǔn)位置100(locking corner),即“十”字光標(biāo)與圖2a中X軸和Y軸的相交點(diǎn)重合，自動(dòng)對(duì)焦拍照(如圖2a中虛框所示)并保存，作為標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形；尋找到具體檢測(cè)區(qū)位置101，S卩“十”字光標(biāo)位于最長(zhǎng)的一根CD棒(CD bar)上，如圖2b所示自動(dòng)對(duì)焦拍照(如圖2b中虛框所示)并保存，作為標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；保存為量測(cè)圖形模板；退出晶圓。
[0030] 步驟S15，將具有由標(biāo)準(zhǔn)光掩膜定義的圖案化光刻膠層的待測(cè)晶圓依次放入SEM中，通過(guò)SEM坐標(biāo)信息找出晶圓檢測(cè)區(qū)。
[0031] 本實(shí)施例中，當(dāng)光刻好的具有圖案化光刻膠層的待測(cè)晶圓放入SEM機(jī)臺(tái)中時(shí)，SEM機(jī)臺(tái)按設(shè)定步驟，根據(jù)前述獲取的SEM坐標(biāo)信息，尋找待測(cè)晶圓的檢測(cè)區(qū)。具體過(guò)程為:SEM機(jī)臺(tái)根據(jù)SEM坐標(biāo)信息中的對(duì)準(zhǔn)區(qū)坐標(biāo)，尋找待測(cè)晶圓的對(duì)準(zhǔn)區(qū)位置，并拍照；然后將獲得的對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板中的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形對(duì)比，如果一致，則對(duì)準(zhǔn)結(jié)束；如果不一致，則根據(jù)尋找的對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形與標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形的差異，調(diào)整尋找位置，直至二者吻合，對(duì)準(zhǔn)結(jié)束；接著，SEM機(jī)臺(tái)根據(jù)SEM坐標(biāo)信息中的檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)，尋找待測(cè)晶圓的檢測(cè)區(qū)位置，并拍照。
[0032] 步驟S16，將尋找到的晶圓檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板中的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形比較并判斷是否一致。
[0033] 如果一致，則執(zhí)行步驟S17，對(duì)尋找到的待測(cè)晶圓的檢測(cè)區(qū)的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行量測(cè)，并記錄量測(cè)結(jié)果；
[0034] 如果不一致，則執(zhí)行步驟S18，根據(jù)尋找的檢測(cè)區(qū)圖形與標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形的差異，調(diào)整尋找位置，直至尋找的待測(cè)晶圓的檢測(cè)區(qū)位置與量測(cè)圖形模板中的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形一致；執(zhí)行步驟S19，對(duì)尋找到的待測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行量測(cè)，并記錄量測(cè)結(jié)果。
[0035] 本實(shí)施例中，可以先執(zhí)行步驟S14，建立量測(cè)圖形模板，所述量測(cè)圖形模板包含標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；再執(zhí)行步驟S11、步驟S12和步驟S13。只要在待測(cè)晶圓放入SEM機(jī)臺(tái)檢測(cè)之前，將量測(cè)圖形模板建立好及獲取相應(yīng)的SEM坐標(biāo)信息即可。
[0036] 本發(fā)明的半導(dǎo)體檢測(cè)方法，利用標(biāo)準(zhǔn)光掩膜的光刻信息，獲取晶圓檢測(cè)區(qū)的坐標(biāo)信息；然后將坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息；建立量測(cè)圖形模板，所述量測(cè)圖形模板包含標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形；由于本發(fā)明的檢測(cè)方法采用一套共同的量測(cè)圖形模板，不同光刻膠層只需根據(jù)從標(biāo)準(zhǔn)光掩膜中獲取的檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)信息轉(zhuǎn)化成SEM可讀的SEM坐標(biāo)信息即可，避免了傳統(tǒng)檢測(cè)方法中，每層光刻膠層的檢測(cè)都需要先用標(biāo)準(zhǔn)晶圓尋找檢測(cè)區(qū)位置，占用大量生產(chǎn)線檢測(cè)時(shí)間的問(wèn)題，提高了晶圓檢測(cè)的效率，并降低出錯(cuò)率，有利于促進(jìn)生產(chǎn)效率的提聞和生廣成本的降低。
[0037] 利用本發(fā)明提供的半導(dǎo)體檢測(cè)方法，具體檢測(cè)光刻膠層關(guān)鍵尺寸是否符合要求的過(guò)程如下所述。
[0038] 如圖3所示，以量測(cè)CD棒(CD bar) 201、202、203、204和205中的CD棒203的關(guān)鍵尺寸為例。首先，將具有圖案化的光刻膠層的待測(cè)晶圓加載到SEM機(jī)臺(tái)內(nèi)；其中SEM坐標(biāo)信息中的對(duì)準(zhǔn)區(qū)坐標(biāo)為(0，0)、檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)為(XI，Yl)，SEM機(jī)臺(tái)根據(jù)相應(yīng)參數(shù)進(jìn)行動(dòng)作。
[0039] 首先，根據(jù)SEM坐標(biāo)信息中的對(duì)準(zhǔn)區(qū)坐標(biāo)(0，0)，SEM機(jī)臺(tái)的“十”字光標(biāo)(未示出)自動(dòng)尋找到相應(yīng)位置并拍照；然后將所拍照片與量測(cè)圖形模板中的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)區(qū)圖形相比較，如果兩者匹配，則“十”字光標(biāo)尋找的位置即為對(duì)準(zhǔn)位置，定義待測(cè)晶圓的對(duì)準(zhǔn)區(qū)坐標(biāo)為原點(diǎn)(0’，0’)，對(duì)準(zhǔn)結(jié)束；如果兩者不匹配，則說(shuō)明SEM機(jī)臺(tái)的“十”字光標(biāo)尋找的位置偏離了待測(cè)晶圓的對(duì)準(zhǔn)位置，如圖4a中“十”字所示，則SEM機(jī)臺(tái)根據(jù)兩者的差異確定修正值并修正，即橫坐標(biāo)右移δχΟ，縱坐標(biāo)上移SyO，并重新定義待測(cè)晶圓的對(duì)準(zhǔn)區(qū)坐標(biāo)為原點(diǎn)(0，，0，)。
[0040] 接著，SEM機(jī)臺(tái)根據(jù)SEM坐標(biāo)信息中的檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)(X1，Y1)尋找檢測(cè)區(qū)位置，尋找方法同對(duì)準(zhǔn)位置。如圖4b所示，如果SEM機(jī)臺(tái)的“十”字光標(biāo)(圖4b中“十”字)尋找到的待測(cè)晶圓的檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形相匹配，即“十”字光標(biāo)尋找到位置剛好是⑶棒203，則對(duì)⑶棒203的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行量測(cè)，并記錄量測(cè)結(jié)果。
[0041] 如圖4c所示，如果SEM機(jī)臺(tái)的“十”字光標(biāo)尋到的待測(cè)晶圓的檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形不相匹配，即“十”字光標(biāo)尋找到的檢測(cè)區(qū)位置偏離了 CD棒203，跑到了 CD棒201的邊上，則SEM機(jī)臺(tái)根據(jù)實(shí)際尋找的待測(cè)晶圓的檢測(cè)區(qū)圖形與量測(cè)圖形模板中的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)區(qū)圖形差異，再次確定修正值并修正，即橫坐標(biāo)右移δ xl，縱坐標(biāo)上移δγ?,同時(shí)確定待測(cè)晶圓檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)為(ΧΓ，ΥΓ)，并對(duì)⑶棒203的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行量測(cè)，記錄量測(cè)結(jié)果。
[0042] 檢測(cè)結(jié)束后，自動(dòng)保存檢測(cè)數(shù)據(jù)，并將晶圓退出SEM機(jī)臺(tái)，以便進(jìn)行下一次檢測(cè)。
[0043] 本實(shí)施例中，由于對(duì)準(zhǔn)區(qū)坐標(biāo)已經(jīng)經(jīng)過(guò)修正，因此，根據(jù)SEM坐標(biāo)參數(shù)中的檢測(cè)區(qū)坐標(biāo)尋找待測(cè)晶圓上的檢測(cè)區(qū)位置時(shí)，一般不會(huì)有偏差，準(zhǔn)確度很高。
[0044] 本發(fā)明的半導(dǎo)體檢測(cè)方法，盡可能減少了占用生產(chǎn)線上的SEM機(jī)臺(tái)的檢測(cè)時(shí)間，而且檢測(cè)速度快，出錯(cuò)率低，有利于提高晶圓生產(chǎn)良率和效率。
[0045] 本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
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