中文字幕理论片,69视频免费在线观看,亚洲成人app,国产1级毛片,刘涛最大尺度戏视频,欧美亚洲美女视频,2021韩国美女仙女屋vip视频

        為了做成純文檔的格式，盡量采用文字說明，不不采用圖片，這樣給理解帶來一定的困難，看官們見笑了。設(shè)電源引腳和地引腳的封裝電感和引線電感之和分別為：Lv和Lg。兩個互補(bǔ)的MOS管（接地的NMOS和接電源的PMOS）簡單作為開關(guān)使用。假設(shè)初始時 刻傳輸線上各點(diǎn)的電壓和電流均為零，在某一時刻器件將驅(qū)動傳輸線為高電平，這時候器件就需要從電源管腳吸收電流。在時間T1，使PMOS管導(dǎo)通，電流從PCB板上的VCC流入，流經(jīng)封裝電感Lv，跨越PMOS管，串聯(lián)終端電阻，然后流入傳輸線，輸出電流幅度為VCC/（2×Z0）。電流在傳輸線網(wǎng)絡(luò)上持續(xù)一個完整的返回（Round-Trip）時間，在時間T2結(jié)束。之后整個傳輸線處于電荷充滿狀態(tài)，不需要額外流入電流來維持。當(dāng)電流瞬間涌過封裝電感Lv時，將在芯片內(nèi)部的電源提供點(diǎn)產(chǎn)生電壓被拉低的擾動。該擾動在電源中被稱之為同步開關(guān)噪聲（SSN，Simultaneous Switching Noise；SSO，Simultaneous Switching Output Noise）或Delta I噪聲。
          在時間T3，關(guān)閉PMOS管，這一動作不會導(dǎo)致脈沖噪聲的產(chǎn)生，因?yàn)樵诖酥癙MOS管一直處于打開狀態(tài)且沒有電流流過的。同時打開NMOS管，這時傳輸線、地平面、封裝電感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬間電流流過開關(guān)B，這樣在芯片內(nèi)部的地結(jié)點(diǎn)處產(chǎn)生參考電平點(diǎn)被抬高的擾動。該擾動在電源系統(tǒng)中被稱之為地彈噪聲（Ground Bounce，我個人讀著地tan）。
實(shí)際電源系統(tǒng)中存在芯片引腳、PCB走線、電源層、底層等任何互連線都存在一定電感值，因此上面就IC級分析的SSN和地彈噪聲在進(jìn)行Board Level分析時，以同樣的方式存在，而不僅僅局限于芯片內(nèi)部。就整個電源分布系統(tǒng)來說（Power Distribute System）來說，這就是所謂的電源電壓塌陷噪聲。因?yàn)樾酒敵龅拈_關(guān)操作以及芯片內(nèi)部的操作，需要瞬時的從電源抽取較大的電流，而電源特性來說不能快速響應(yīng)該電流變化，高速開關(guān)電源開關(guān)頻率也僅有MHz量級。為了保證芯片附近電源線上的電壓不至于因?yàn)镾SN和地彈噪聲降低超過器件手冊規(guī)定的容限，這就需要在芯片附近為高速電流需求提供一個儲能電容，這就是我們所要的退耦電容。

         如果電容是理想的電容，選用越大的電容當(dāng)然越好了，因?yàn)樵酱箅娙菰酱?，瞬時提供電量的能力越強(qiáng)，由此引起的電源軌道塌陷的值越低，電壓值越穩(wěn)定。但是，實(shí)際的電容并不是理想器件，因?yàn)椴牧?、封裝等方面的影響，具備有電感、電阻等附加特性；尤其是在高頻環(huán)境中更表現(xiàn)的更像電感的電氣特性。我們都知道實(shí)際電容的模型簡單的以電容、電阻和電感建立。除電容的容量C以外，還包括以下寄生參數(shù)：
         1、等效串聯(lián)電阻ESR（Resr）：電容器的等效串聯(lián)電阻是由電容器的引腳電阻與電容器兩個極板的等效電阻相串聯(lián)構(gòu)成的。當(dāng)有大的交流電流通過電容器，Resr使電容器消耗能量(從而產(chǎn)生損耗)，由此電容中常用用損耗因子表示該參數(shù)。
         2、等效串聯(lián)電感ESL（Lesl）：電容器的等效串聯(lián)電感是由電容器的引腳電感與電容器兩個極板的等效電感串聯(lián)構(gòu)成的。
         3、等效并聯(lián)電阻EPR Rp ：就是我們通常所說的電容器泄漏電阻，在交流耦合應(yīng)用、存儲應(yīng)用(例如模擬積分器和采樣保持器)以及當(dāng)電容器用于高阻抗電路時，Rp是一項(xiàng)重要參數(shù)，理想電容器中的電荷應(yīng)該只隨外部電流變化。然而實(shí)際電容器中的Rp使電荷以RC時間常數(shù)決定的速度緩慢泄放。
          還是兩個參數(shù)RDA、CDA 也是電容的分布參數(shù)，但在實(shí)際的應(yīng)該中影響比較小，這就省了吧。所以電容重要分布參數(shù)的有三個：ESR、ESL、EPR。其中最重要的是ESR、 ESL，實(shí)際在分析電容模型的時候一般只用RLC簡化模型，即分析電容的C、ESR、ESL。因?yàn)榧纳鷧?shù)的影響，尤其是ESL的影響，實(shí)際電容的頻率特性表現(xiàn)出阻抗和頻率成“V”字形的曲線，低頻時隨頻率的升高，電容阻抗降低；當(dāng)?shù)阶畹忘c(diǎn)時，電容阻抗等于ESR；之后隨頻率的升高，阻抗增加，表現(xiàn)出電感特性（歸功于ESL）。因此對電容的選擇需要考慮的不僅僅是容值，還需要綜合考慮其他因素。包括：
1、電容容值；2、電介質(zhì)材料；3、電容的幾何尺寸和放置位置。

          所有考慮的出發(fā)點(diǎn)都是為了降低電源地之間的感抗（滿足電源最大容抗的條件下），在有瞬時大電流流過電源系統(tǒng)時，不至于產(chǎn)生大的噪聲干擾芯片的電源地引腳。選用常見的有兩種方法計算所需的電容：
簡單方法：由輸出驅(qū)動的變化計算所需退耦電容的大??；
復(fù)雜方法：由電源系統(tǒng)所允許的最大的感抗計算退耦電容的大小。
    
         我們假設(shè)一個模型，在一個Vcc＝3.3V的SRAM系統(tǒng)中，有36根輸出數(shù)據(jù)線，單根數(shù)據(jù)線的負(fù)載為Cload＝30pF（相當(dāng)?shù)拇罅耍敵鲵?qū)動需要在Tr＝2ns（上升時間）內(nèi)將負(fù)載從0V驅(qū)動到3.3V，該芯片資料里規(guī)定的電源電壓要求是3.3V＋0.3V/-0.165V。
         可以看出在SRAM的輸出同時從0V上升到3.3V時，從電源系統(tǒng)抽取的電流最大，我們選擇此時計算所需的退耦電容量。我們采用第一種計算方法進(jìn)行計算，單根數(shù)據(jù)線所需要的電流大小為：
         I＝Cload×（dV/dt）＝30pF×（3V/2ns）=45mA;
        36根數(shù)據(jù)線同時翻轉(zhuǎn)時的電流大小為Itot＝45mA×36＝1.62A。芯片允許的供電電壓降為0.165V，假設(shè)我們允許該芯片在電源線上因?yàn)镾SN引入的噪聲為50mV，那么所需要的電容退耦電容為：
       C＝I×（dt/dV）＝1.62A×（2ns/50mV）=64nF；
         從標(biāo)準(zhǔn)容值表中選用兩個34nF的電容進(jìn)行并聯(lián)以完成該值，正如上面提到的退耦電容的選擇在實(shí)際中并不是越大越好，因?yàn)樵酱蟮碾娙菥哂懈蟮姆庋b，而更大的封裝可能引入更大的ESL，ESL的存在會引起在IC引腳處的電壓抖動（Glitching），這個可以通過V＝L×（di/dt）公式來說明，常見貼片電容的L大約是1.5nH，那么V＝1.5nH×（1.62A/2ns）=1.2V，考慮整個Bypass回路的等效電感之后，實(shí)際電路中g(shù)litch會小于該值。通過前人做的一些仿真的和經(jīng)驗(yàn)的數(shù)據(jù)來看，退耦電容上的Glitch與同時驅(qū)動的總線數(shù)量有很大關(guān)系。
         因?yàn)镋SL在高頻時覺得了電源線上的電流提供能力，我們采用第二種方法再次計算所需的退耦電容量。這中方法是從Board Level考慮單板，即從Bypass Loop的總的感抗角度進(jìn)行電容的計算和選擇，因此更具有現(xiàn)實(shí)意義，當(dāng)然需要考慮的因素也就越多，實(shí)際問題的解決總是這樣，需要一些折中，需要一點(diǎn)妥協(xié)。
        同樣使用上面的假設(shè)，電源系統(tǒng)的總的感抗最大：
         Xmax＝（dV/dI）＝0.05/1.62=31m歐；
         在此，需要說明我們引入的去耦電容是為了去除比電源的去耦電容沒有濾除的更高頻率的噪聲，例如在電路板級參數(shù)中串聯(lián)電感約為Lserial＝5nH，那么電源的退耦頻率：
         Fbypass＝Xmax/(2pi×Lserial)＝982KHz，這就是電源本身的濾波頻率，當(dāng)頻率高于此頻率時，電源電路的退耦電路不起作用，需要引入芯片的退耦電容進(jìn)行濾波。另外引入另外一個參數(shù)——轉(zhuǎn)折點(diǎn)頻率Fknee，該頻率決定了數(shù)字電路中主要的能量分布，高于該頻率的分量認(rèn)為對數(shù)字電路的上升沿和下降沿變化沒有貢獻(xiàn)。在High-Speed Digital Design:A Hand Book of Black Magic這本書的第一章就詳細(xì)的討論了該問題，在此不進(jìn)行詳細(xì)說明。只是引入其中推倒的公式：
      Fknee＝（1/2×Tr）＝250MHz，其中Tr＝2ns；
可見Fknee遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于Fbypass，5nH的串聯(lián)電感肯定是不行了。那么計算：
      Ltot＝Xmax/(2pi×Fknee)＝(Xmax×Tr/pi)=19.7pH;
如前面提到的常見的貼片電容的串聯(lián)電感在1.5nH左右，所需要的電容個數(shù)是：
       N＝（Lserial/Ltot）=76個，另外當(dāng)頻率降到Fbypass的時候，也應(yīng)該滿足板級容抗需要即：
Carray=(1/（2pi×Fbypass×Xmax）)＝5.23uF；
Celement=Carray/N=69nF;
          哇噻，真不是一個小數(shù)目啊，這么多??！如果單板上還有其他器件同時動作，那么需要更多的電容呢!如果布不下，只能選擇其他具有更小電感值的電容了。

      電容選擇上都采用的MLCC的電容進(jìn)行退耦，常見的MLCC的電容因?yàn)榻橘|(zhì)的不同可以進(jìn)行不同的分類，可以分成NPO的第一類介質(zhì)，X7R和Z5V等的第二、三類介質(zhì)。EIA對第二、三類介質(zhì)使用三個字母，按照電容值和溫度之間關(guān)系詳細(xì)分類為：
第一個數(shù)字表示下限類別溫度：
X：－55度；Y：－30度；Z：＋10度
第二個數(shù)字表示上限溫度：
4：＋65度；5：＋85度；6：105度；7：125度；8：150度；
第三個數(shù)字表示25度容量誤差：
P：＋10％/-10％；R：＋15％/-15％；S：＋22％/-22％；
T：＋22％/-33％；U：＋22％/-56％；V：＋22％/-82％
        例如我們常見的Z5V，表示工作溫度是10度～85度，標(biāo)稱容量偏差＋22％/-82％，就這玩意兒我們還大用特用啊。