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集成電路產(chǎn)業(yè)是先進(jìn)制造業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，其下游應(yīng)用端涵蓋了汽車、通信、電器、計(jì)算機(jī)、航空航天、軍工和光伏等各大行業(yè)。半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展催生和推動(dòng)了物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、大數(shù)據(jù)和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)。
為加深對集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的了解，我們將推出集成電路系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈系列相關(guān)報(bào)告，供讀者參考。
一、半導(dǎo)體材料市場
半導(dǎo)體材料是集成電路產(chǎn)業(yè)的立足根本，也是我國集成電路產(chǎn)業(yè)的競爭短板之一。半導(dǎo)體材料屬于高壁壘行業(yè)，技術(shù)含量高、生產(chǎn)難度大。半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化率仍處于較低水平，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)相比國際龍頭的競爭力仍有較大差距。
全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模
半導(dǎo)體原材料是集成電路產(chǎn)業(yè)的基石，集成電路生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)均要用到半導(dǎo)體原材料，如光刻環(huán)節(jié)需要使用掩膜版和光刻膠及清洗用的各類濕化學(xué)品，刻蝕環(huán)節(jié)需要用到硅片、電子氣體等。隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷進(jìn)步，對于所用原材料的純度、尺寸及一系列物理化學(xué)性質(zhì)的要求越來越嚴(yán)格，原材料的成本也隨著提升，原材料市場整體規(guī)模不斷上升。
2018年，全球半導(dǎo)體原材料銷售額為519.4億美元，創(chuàng)歷史新高，同比增長10.65%，增速達(dá)到2011年以來的新高。2018年全球半導(dǎo)體銷售額為4687.8億元，其中半導(dǎo)體材料的銷售額占全球半導(dǎo)體銷售總額的11.08%。
資料來源：WIND，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
半導(dǎo)體材料市場的增速與整個(gè)半導(dǎo)體市場高度同步，表現(xiàn)出明顯的周期性，與全球GDP的增速呈現(xiàn)明顯的正相關(guān)，不過其波動(dòng)幅度遠(yuǎn)大于GDP的波動(dòng)幅度，半導(dǎo)體材料行業(yè)是典型的周期性行業(yè)。
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中國大陸半導(dǎo)體材料市場規(guī)模
2018年，我國大陸半導(dǎo)體材料銷售額為84.4億美元，占全球半導(dǎo)體材料銷售額的16.25%。大陸半導(dǎo)體材料市場規(guī)模增速較快，2006年至2018年間，復(fù)合增長率為11.11%，而同期全球半導(dǎo)體材料市場的復(fù)合增長率為2.81%。大陸市場占全球市場比例越來越高，主要是因?yàn)槲覈嚒㈦娮?、通信等半?dǎo)體應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)的快速增長驅(qū)使國際集成電路制造廠商紛紛來華建廠以及國內(nèi)集成電路制造企業(yè)的迅速發(fā)展。據(jù)SEMI估計(jì)，2017-2020全球?qū)⒂?2座新晶圓廠投產(chǎn)，其中26座坐落中國大陸，占總數(shù)的42%。
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日本是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的霸主
在全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，日本占據(jù)了半壁江山，是當(dāng)仁不讓的霸主。在2019年前5個(gè)月，日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體材料占全球產(chǎn)量的52%。在半導(dǎo)體制造過程包含的19種核心材料中，日本市占率超過50%份額的材料就占到了14種。
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中國自給率低
2018年，中國大陸是全球半導(dǎo)體材料第三大市場，僅次于中國臺(tái)灣和韓國，然而國內(nèi)半導(dǎo)體原材料市場的自給率非常低，大部分原材料均很大程度上依賴進(jìn)口，尤其是核心高端半導(dǎo)體材料，以硅晶圓為例，8寸硅晶圓自給率僅百分之十五，百分之八十五依賴進(jìn)口，12寸硅晶圓進(jìn)口比重更高達(dá)百分之九十九。
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二、半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與市場競爭格局
集成電路生產(chǎn)大致可分為設(shè)計(jì)、制造、封裝和測試四個(gè)環(huán)節(jié)。其中設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)主要通過計(jì)算機(jī)軟件完成，制造、封裝和測試環(huán)節(jié)均需要在十分嚴(yán)格的工廠環(huán)境中進(jìn)行，并且生產(chǎn)過程工藝復(fù)雜，步驟繁多，對材料的純度、規(guī)格、溫度、PH值、微觀物理結(jié)構(gòu)等等都有十分嚴(yán)格的要求。
資料來源：互聯(lián)網(wǎng)，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
半導(dǎo)體材料主要運(yùn)用于制造和封裝環(huán)節(jié)，且大部分材料均為消耗性材料，在集成電路制造過程中需要多次投入。
硅片
1.硅的應(yīng)用
硅是集成電路生產(chǎn)中最重要的原材料，硅片市場約占整個(gè)半導(dǎo)體材料市場的三分之一。目前，90%以上的集成電路芯片是用硅片作為襯底制造出來的，硅是集成電路的承載基礎(chǔ)。
硅片的質(zhì)量直接影響集成電路芯片的品質(zhì)，集成電路制造所用的硅片的純度和原子排列方式都有非常嚴(yán)格的要求，通常其純度不得低于99.9999%，高端芯片的硅片材料純度甚至需要達(dá)到99.9999999%以上，也就是說雜質(zhì)的含量低于10^(-9)。
2.硅片的生產(chǎn)工藝
集成電路生產(chǎn)用到的硅是單晶硅片，硅晶體按晶胞排列是否規(guī)律，可分為單晶硅和多晶硅。單晶硅晶胞在三維方向上整齊重復(fù)排列，而多晶硅晶胞則呈不規(guī)律排列。單晶硅在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，都優(yōu)于多晶硅，只有單晶硅才能滿足集成電路生產(chǎn)的工藝要求。
資料來源：《芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程》，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
（1）硅片生產(chǎn)流程
硅片的制備從晶體生長開始，形成單晶錠后經(jīng)過修整和磨削再切片，再經(jīng)過邊緣打磨、精研、拋光等步驟后，最后檢查得到的硅片是否合格。
硅片制造流程資料來源：《半導(dǎo)體制造技術(shù)》，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
（2）單晶硅生產(chǎn)
自然界中的硅絕大部分是以SiO2（泥土、沙子）的形式存在，半導(dǎo)體制作的第一個(gè)階段是利用化學(xué)反應(yīng)將泥土轉(zhuǎn)化成硅化物氣體，例如等到四氯化硅或者三氯硅烷，此時(shí)得到的硅化物氣體含雜質(zhì)較多，第二個(gè)階段在利用硅化物氣體與氫氣反應(yīng)，得到純度較高的固態(tài)硅單質(zhì)，此時(shí)的硅為多晶硅。
氫氣還原三氯硅烷：
利用多晶硅制備單晶硅碇的工藝叫做單晶生長。單晶生長分為直拉（CZ）法和區(qū)熔（FZ）法，直拉法是目前主流的生長方法，占據(jù)90%市場。
直拉法晶體生產(chǎn)系統(tǒng)資料來源：《芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程》，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
區(qū)熔法晶體生產(chǎn)系統(tǒng)資料來源：《芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程》，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
直拉法更容易生長大直徑單晶硅，成本更低，生長出的單晶硅大多用于集成電路元件。區(qū)熔法生長出的單晶硅純度較高，主要用于功率半導(dǎo)體。但區(qū)熔法較難生長出大直徑單晶硅，一般僅用于8寸或以下直徑工藝。
3.硅片市場
當(dāng)前市場上半導(dǎo)體硅片以12英寸和8英寸為主，12英寸的硅片在2009年開始市場份額超過50%，且逐年增長，預(yù)計(jì)2019年，12英寸硅片的市場份額將超過70%。
硅片的直徑越大，單個(gè)硅片能生產(chǎn)的芯片數(shù)量也就越多，12英寸的硅片能生產(chǎn)的芯片數(shù)量是8英寸的2.25倍，為了節(jié)省生產(chǎn)成本，硅片的直徑越做越大是必然趨勢。1980年代是4英寸硅片占主流，1990年代是6英寸占主流，2000年代是8英寸占主流，到2010年代12英寸硅片已經(jīng)成為主流。
（1）全球市場
據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2019年全球硅晶圓面積出貨量總計(jì)11,810百萬平方英寸，2019年的銷售額總計(jì)111.5億美元。
資料來源：SEMI，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
半導(dǎo)體硅片投入資金多，研發(fā)周期長，是技術(shù)壁壘和資金壁壘都極高的行業(yè)。由于下游客戶認(rèn)證時(shí)間長，硅片廠商需要長時(shí)間的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)積累來提升產(chǎn)品的品質(zhì)，滿足客戶需求，以獲得客戶認(rèn)證。
目前全球硅片市場處于寡頭壟斷局面，市場集中度相當(dāng)高，前五大企業(yè)占據(jù)全球90%的市場份額，日本兩大廠商信越化學(xué)和SUMCO合計(jì)占有53%的市場份額，是硅片市場的主導(dǎo)者。
資料來源：芯思想研究院，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
（2）國內(nèi)市場
我國硅晶圓產(chǎn)業(yè)起步較晚，技術(shù)底子薄，自給率非常低，主要依賴進(jìn)口，在2017年之前，我國大陸僅在4至6英寸硅片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了大規(guī)模產(chǎn)量，基本滿足了國產(chǎn)需求，然而大尺寸（8英寸和12英寸）硅片的自給率很低，尤其是12英寸硅片，目前僅有上海新昇、中環(huán)股份和金瑞泓等企業(yè)能夠少量生產(chǎn)。上海新昇12英寸硅片產(chǎn)品已經(jīng)通過華力微和中芯國際的認(rèn)證，正片2019年已得到長江存儲(chǔ)的采購，目前處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。
資料來源：互聯(lián)網(wǎng)，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
光刻膠
1.光刻膠的應(yīng)用
光刻膠是光刻過程中的重要耗材。光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟做準(zhǔn)備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實(shí)現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程，實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護(hù)作用。
光刻主要包括薄膜生長、上膠、曝光和顯影等環(huán)節(jié)。光刻是整個(gè)集成電路制造過程中耗時(shí)最長、難度最大的工藝，耗時(shí)占集成電路制造50%左右，成本約占集成電路生產(chǎn)成本的1/3。
光刻工藝圖示資料來源：互聯(lián)網(wǎng)，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
2.光刻膠的成分與特性
光刻膠一般由4部分組成：樹脂型聚合物、感光劑、溶劑和添加劑。
樹脂聚合物是一種惰性的聚合物（包含碳、氫、氧的有機(jī)高分子）基質(zhì)，用于把光刻膠中的不同材料聚在一起的粘合劑。樹脂聚合物給予了光刻膠其機(jī)械和化學(xué)性質(zhì)，例如粘附性、柔順性和熱流穩(wěn)定性，其對光不敏感，紫外光曝光后它不會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。感光劑是光刻膠材料中的光敏成分，它對光形式的輻射能，特別在紫外區(qū)，會(huì)發(fā)生反應(yīng)。感光劑對于光能發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。溶劑使得光刻膠保持液體狀態(tài)，使光刻膠能涂抹到硅片襯底上。添加劑用來控制和改變光刻膠材料的特定化學(xué)性質(zhì)或光響應(yīng)特性，各個(gè)制造商均有獨(dú)自的配方，不對外公開。
光刻膠的核心產(chǎn)品要素：
資料來源：《半導(dǎo)體制造技術(shù)》，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
根據(jù)顯示效果的不同，可將光刻膠分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正性光刻膠顯影時(shí)未曝光部分溶解于液，形成的圖與掩膜版相反。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)曝光部分溶解于液，形成的圖與掩膜版相同。由于負(fù)性光刻膠顯影時(shí)易變形和膨脹，分辨率一般只能達(dá)到2微米，所以正性光刻膠的應(yīng)用更為普及。
3.光刻膠市場
（1）全球市場
光刻膠產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)眾多，純度要求較高，行業(yè)進(jìn)入壁壘很高。目前半導(dǎo)體光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品也基本出自日本和美國公司，包括日本JSR、東京應(yīng)化工業(yè)、羅門哈斯，信越化學(xué)、富士電子材料等企業(yè)。
資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2018年全球半導(dǎo)體光刻膠銷售額達(dá)到17.3億美元，預(yù)計(jì)2019年銷售額稍有下降。中國市場是半導(dǎo)體光刻膠全球最大的市場，市場規(guī)模占全球比重約為32%，其次是美洲（21%）、亞太（20%，除中國和日本）、歐洲（9%）和日本（9%）。
（2）國內(nèi)市場
按應(yīng)用領(lǐng)域劃分，光刻膠可以分為半導(dǎo)體光刻膠、PCB光刻膠、LCD光刻膠等。從中國產(chǎn)品市場來看，PCB光刻膠市場份額占比最多，高達(dá)94.4%。LCD光刻膠市場份額占比第二，為2.7%。半導(dǎo)體光刻膠市場份額占比位居第三，僅為1.6%?？傮w看來，中國市場PCB光刻膠占據(jù)大部分市場份額，LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠所占份額非常低。
半導(dǎo)體光刻膠相對而言技術(shù)含量最高，價(jià)格最昂貴。按照其曝光波長，半導(dǎo)體光刻膠可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）和ArF（193nm）等4個(gè)大類。其中，ArF光刻膠為目前分辨率最高的半導(dǎo)體光刻膠。g線和i線光刻膠為目前市場上使用量最大的光刻膠，ArF光刻膠市場增速最快。
資料來源：CNKI，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
國內(nèi)光刻膠市場規(guī)模保持穩(wěn)定增長，從2011年的30.4億元增長到2018年的62.3億元，復(fù)合增長率達(dá)11.59%，國內(nèi)光刻膠市場以PCB光刻膠和LCD光刻膠為主，而半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模不到40%。其中PCB光刻膠的自給率已超過50%，LCD光刻膠自給率不到10%，半導(dǎo)體光刻膠自給率更是低于5%，幾乎全靠進(jìn)口。國內(nèi)企業(yè)中，飛凱材料、容大感光、廣信材料等已有相應(yīng)PCB光刻膠產(chǎn)品投產(chǎn)；永太科技CF光刻膠已通過客戶驗(yàn)證，北京科華、蘇州瑞紅LCD光刻膠已量產(chǎn)，容大感光、飛凱材料均在積極布局。
半導(dǎo)體光刻膠我國自給率極低。適用于6英寸硅片的g線/i線光刻膠的自給率約為20%，適用于8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，而適用于12吋硅片的ArF光刻膠完全依賴進(jìn)口，最先進(jìn)的EUV光刻膠目前僅有少數(shù)幾家海外公司掌握了相關(guān)技術(shù)，且未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)化進(jìn)程：資料來源：公開資料，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
掩膜版
1.掩膜版的應(yīng)用
掩膜版是下游行業(yè)產(chǎn)品制造過程中的圖形“底片”，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體。在光刻過程中，掩膜版是設(shè)計(jì)圖形的載體。通過光刻，將掩膜版上的設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過刻蝕，將圖形刻到襯底上，從而實(shí)現(xiàn)圖形到硅片的轉(zhuǎn)移。
掩膜版的應(yīng)用圖示：資料來源：清溢光電招股說明書，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
掩膜版的結(jié)構(gòu)：資料來源：申港證券，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
石英玻璃和晶片是透光體，它們能將光線折射成不用的角度。而鉻膜是不透光的，當(dāng)照射到鉻膜的光線無法透過，其他光線最終可以照射到下面的光刻膠上，因此通過光線的照射，在光刻膠特定的區(qū)域進(jìn)行曝光，然后再經(jīng)過顯影，就可以在光刻膠上形成特定的圖形，這就是光刻的基本原理。
2.掩膜版市場
（1）全球市場
根據(jù)SEMI公布數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體掩模版銷售額為35.7億美元，占到半導(dǎo)體材料市場總額的13%。
從生產(chǎn)商來看，目前全球掩膜版生產(chǎn)商主要集中在日本和美國的幾個(gè)巨頭，包括日本凸版印刷TOPAN、日本大印刷，美國Photronics，日本豪雅HOYA，日本SK電子等。其中，Photronics、大日本印刷株式會(huì)社DNP和日本凸版印刷株式會(huì)社Toppan三家占據(jù)全球掩膜版領(lǐng)域80%以上市場份額。
（2）國內(nèi)市場
2018年，我國半導(dǎo)體材料總體市場規(guī)模為84.4億美元，而掩膜版銷售額占半導(dǎo)體材料市場總額的13%，據(jù)此推算，我國半導(dǎo)體掩膜版市場規(guī)模大致為10.97億美元。
目前我國掩膜版生產(chǎn)公司主要以外資為主，本土掩膜版廠商主要生產(chǎn)中低端產(chǎn)品，目前能達(dá)到的技術(shù)節(jié)點(diǎn)仍停留在微米級(jí)，高端半導(dǎo)體掩膜版幾乎全部依賴進(jìn)口或者是外資公司在國內(nèi)的生產(chǎn)。國內(nèi)生產(chǎn)半導(dǎo)體掩膜版的企業(yè)主要有路維光電、清溢光電，中科院微電子所、中國電子科技集團(tuán)等科研院所內(nèi)部也有自制掩膜版，中芯國際也有自制掩膜版業(yè)務(wù)。
電子氣體
如果說硅晶圓是晶圓制造的基石，電子氣體則是半導(dǎo)體制造的“血液”，它存在于芯片制造及封裝的每一個(gè)環(huán)節(jié)。在半導(dǎo)體制造中，電子氣體純度每提升一個(gè)數(shù)量級(jí)，都會(huì)促進(jìn)器件性能的有效提升。電子氣體的技術(shù)壁壘極高，最核心的技術(shù)是氣體提純技術(shù)，其雜質(zhì)含量可低至10^(-9)級(jí)甚至10^(-12)級(jí)。此外超高純氣體的包裝和儲(chǔ)運(yùn)也是一大難題。
1.電子氣體的應(yīng)用
在集成電路產(chǎn)業(yè)使用的電子氣體中可分為大宗氣體（常用氣體）和特殊氣體兩類。大宗氣體一般是以氮?dú)狻⒀鯕?、氬氣、氦氣、氫氣等純凈氣體為主。大宗氣體在半導(dǎo)體制造中主要有兩種功能，一種是作為反應(yīng)氣體參與到化學(xué)反應(yīng)中，比如氫氣，氧氣等等。另外一種是作為保護(hù)氣體使用的惰性氣體，經(jīng)常用在高溫烘烤或清洗過程，這些氣體一般是以惰性氣體為主，比如氮?dú)?，氬氣，氦氣等等。特殊氣體以化合物氣體為主，主要是集成電路制造中的反應(yīng)氣體。比如硅烷、磷化三氫、一氧化二氮、氨氣，四氟甲烷等等，這些氣體主要是參與到芯片制造過程中的一些物質(zhì)生成等等。比如利用硅烷反應(yīng)成成二氧化硅介質(zhì)，利用四氟甲烷主要在干法刻蝕中，與被刻蝕物發(fā)生反應(yīng)，從而達(dá)到刻蝕的目的。在集成電路制造中，大宗氣體和特種氣體的用量幾乎各占50%。
電子氣體的應(yīng)用環(huán)節(jié)圖示資料來源：神工股份招股說明書，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
電子氣體的應(yīng)用介紹資料來源：《半導(dǎo)體制造技術(shù)》，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
2.電子氣體市場
（1）全球市場
電子氣體由于在制造過程中使用的步驟較多，所以消耗量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他材料，電子氣體是晶圓制造中的第二大耗材。2018年全球集成電路用電子氣體市場規(guī)模達(dá)到45.12億美元，同比增長15.93%。
資料來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
目前全球電子特氣90%以上市場份額被美國空氣化工、美國普萊克斯、德國林德集團(tuán)、法國液化空氣和日本大陽日酸株式會(huì)社等五家公司壟斷。
資料來源：申港證券，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
（2）國內(nèi)市場
2018年國內(nèi)半導(dǎo)體用電子特氣市場規(guī)模約4.89億美元。經(jīng)過30多年的發(fā)展，我國半導(dǎo)體用電子特氣已經(jīng)取得了不錯(cuò)的成績，中船重工718所、廣東華特、昊華科技、雅克科技和南大光電企業(yè)等處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。
中船重工718所的NF3（清洗、刻蝕）及WF6（化學(xué)氣相沉積）產(chǎn)品主要用于IC制造過程中的外延、離子注入、擴(kuò)散、蝕刻、沉積、清洗等關(guān)鍵工藝，上述產(chǎn)品已有成熟的技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，并有多年的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，完全能夠滿足客戶的需求，實(shí)現(xiàn)國內(nèi)市場占有率第一。
華特氣體在多個(gè)領(lǐng)域率先打破國際壟斷，實(shí)現(xiàn)了相關(guān)特種氣體的量產(chǎn)。公司成為國內(nèi)首家打破六氟乙烷、三氟甲烷、八氟丙烷、二氧化碳、一氧化碳、一氧化氮、Ar/F/Ne混合氣、Kr/Ne混合氣、Ar/Ne混合氣、Kr/F/Ne混合氣等產(chǎn)品進(jìn)口制約的氣體公司，并實(shí)現(xiàn)了近20個(gè)產(chǎn)品的進(jìn)口替代，是中國特種氣體國產(chǎn)化的先行者。其中，高純六氟乙烷獲選“第十屆（2015）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”、高純?nèi)淄楂@選“第十一屆（2016）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”，Ar/F/Ne、Kr/Ne、Ar/Ne和Kr/F/Ne等4種混合氣于2017年通過ASML公司的產(chǎn)品認(rèn)證。目前，公司是我國唯一通過ASML公司認(rèn)證的氣體公司，亦是全球僅有的上述4個(gè)產(chǎn)品全部通過其認(rèn)證的四家氣體公司之一。
濕電子化學(xué)品
濕電子化學(xué)品是電子行業(yè)不可或缺的關(guān)鍵性材料濕電子化學(xué)品為微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種電子化工材料，是指主體成分純度大于99.99%，雜質(zhì)離子和微粒數(shù)符合嚴(yán)格要求的化學(xué)試劑。濕電子化學(xué)品包含各種不同的種類，根據(jù)組成成分和應(yīng)用工藝的不同，可以分為通用濕電子化學(xué)品和功能濕電子化學(xué)品。
通用濕電子化學(xué)品是指在集成電路、液晶顯示器、太陽能電池、LED制造工藝中被大量使用的液體化學(xué)品，主要包括過氧化氫、氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸、氫氧化銨等；功能濕電子化學(xué)品是指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復(fù)配類化學(xué)品，主要包括顯影液、剝離液、清洗液、刻蝕液等。
濕電子化學(xué)品通常采用以下方法制備提純：蒸餾和精餾、離子交換、分子篩吸附、氣體吸收、超凈過濾。
1.濕電子化學(xué)品的應(yīng)用
（1）污染物清洗
大規(guī)模集成電路在其生產(chǎn)過程中有幾十道工序，工藝制造過程中的空氣、水、各種氣體、化學(xué)試劑、工作環(huán)境、電磁環(huán)境噪聲以及微振動(dòng)、操作人員、使用的工具、器具等各種因素都可能帶來污染物，污染物數(shù)量超過一定限度時(shí)，就會(huì)使集成電路產(chǎn)品發(fā)生表面擦傷、圖形斷線、短路、針孔、剝離等現(xiàn)象。這會(huì)導(dǎo)致漏電、電特性異常等情況，輕者影響電路使用壽命，嚴(yán)重時(shí)可導(dǎo)致電路報(bào)廢。而這些污染物都需要相關(guān)的超凈高純試劑去除。所以濕電子化學(xué)品是電子行業(yè)制作過程中不可缺少的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料之一，它的純度和潔凈度對集成電路的成品率、電性能及可靠性都有著十分重要的影響?！俺瑑簟?、“高純”是濕電子化學(xué)品產(chǎn)品最基本和最嚴(yán)格的要求，與電子氣體類似，用于集成電路制造的高端濕電子化學(xué)品的雜質(zhì)含量低至10^(-9)級(jí)甚至10^(-12)級(jí)。
濕電子化學(xué)品用于晶圓污染物清洗資料來源：互聯(lián)網(wǎng)，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
（2）蝕刻、顯影等
在集成電路的制造過程中，常常需要在晶圓上做出極微細(xì)尺寸的圖案，而這些微細(xì)圖案最主要的形成方式，就是使用蝕刻技術(shù)，將微影技術(shù)所產(chǎn)生的光阻圖案，準(zhǔn)確無誤地轉(zhuǎn)引到光阻底下的材質(zhì)上以形成整個(gè)電路的復(fù)雜架構(gòu)。
蝕刻技術(shù)可以大致分為濕式蝕刻與干式蝕刻兩種方式，目前濕式蝕刻運(yùn)用廣泛，因其操作簡單、成本低廉、用時(shí)短且具有高可靠性。濕法刻蝕通過特定濕電子化學(xué)品與需要刻蝕的薄膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，除去光刻膠未覆蓋區(qū)域的薄膜，濕電子化學(xué)品主要在濕式蝕刻加工過程中發(fā)揮功效。
顯影是在正性光刻膠的曝光區(qū)和負(fù)性光刻膠的非曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解，在光刻膠上形成三維圖形的一種光刻技術(shù)。顯影液和洗脫液的成分是針對不同的光阻材料設(shè)計(jì)而成的，此過程涉及的超凈高純試劑包括H2O2、Na2SO3，以及KOH和NaOH等堿性溶液，針對不同的顯影液和洗脫液，其配方成分均不相同。
2.濕電子化學(xué)品市場
（1）全球市場
2018年全世界濕電子化學(xué)品市場規(guī)模達(dá)到52.65億美元，三大市場應(yīng)用量達(dá)到307萬噸，其中半導(dǎo)體市場應(yīng)用量約132萬噸，顯示面板市場應(yīng)用量約101萬噸，太陽能電池領(lǐng)域應(yīng)用量達(dá)到74萬噸。
美國、日本和德國占據(jù)了全球濕電子化學(xué)品市場主要份額。
第一大市場份額，由歐美傳統(tǒng)老牌企業(yè)的濕電子化學(xué)品產(chǎn)品（包括它們在亞洲開設(shè)工廠所創(chuàng)的銷售額）所占領(lǐng)，其市場份額約為34%。其主要企業(yè)有德國巴斯夫（Basf）公司、美國Ashland化學(xué)、美國Arch化學(xué)品公司、美國霍尼韋爾公司、AIR PRODUCTS、德國E.Merck公司等。
第二大市場份額，由日本的十家左右生產(chǎn)企業(yè)所擁有，約占30%的市場份額。其大型企業(yè)包括關(guān)東化學(xué)公司、三菱化學(xué)、京都化工、日本合成橡膠、住友化學(xué)、和Stella Chemifa等。
第三大市場份額，主要由中國臺(tái)灣、韓國、中國大陸企業(yè)所占據(jù)，三者約占全球市場份額的35%。
（2）國內(nèi)市場
在我國及全世界，半導(dǎo)體市場仍是對濕電子化學(xué)品要求最高的市場，也是需求規(guī)模最大的市場。這一市場的濕電子化學(xué)品國產(chǎn)化進(jìn)展，在擴(kuò)展8英寸及8英寸以上半導(dǎo)體晶圓市場方面，仍很緩慢。目前，我國內(nèi)資企業(yè)生產(chǎn)的濕電子化學(xué)品在國內(nèi)半導(dǎo)體總體上市場上占有25%的市場份額。其中8英寸及8英寸以上用濕電子化學(xué)品的國產(chǎn)化比例僅有10%左右。而我國內(nèi)資企業(yè)產(chǎn)濕電子化學(xué)品在6英寸及6英寸以下晶圓市場上的國產(chǎn)化率已提高到80%。
目前國內(nèi)生產(chǎn)濕電子化學(xué)品的企業(yè)約有四十多家，產(chǎn)品達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)，且具有一定生產(chǎn)量的企業(yè)有30多家。其中，江化微、江陰市潤瑪電子、杭州格林達(dá)化學(xué)、蘇州晶瑞化學(xué)是目前國內(nèi)最大的幾家濕電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)。它們的市場份額占國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品的總市場量的70%以上。
目前國際上制備G1到G5級(jí)濕電子化學(xué)品的技術(shù)都已經(jīng)趨于成熟，國內(nèi)大部分企業(yè)已經(jīng)達(dá)到了國際G3標(biāo)準(zhǔn)，并已開展G4標(biāo)準(zhǔn)的研發(fā)工作。一些技術(shù)領(lǐng)先的濕電子化學(xué)品企業(yè)，如江化微公司，目前技術(shù)水平已達(dá)到SEMI標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)的高端行列，硝酸純度、氫氟酸、氨水、金屬刻蝕液等均已完成行業(yè)頂級(jí)（G4級(jí)和G5級(jí)）品類中試，量產(chǎn)在即。
濺射靶材
濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度流的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基體表面。被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。
1.靶材的應(yīng)用
集成電路、平板顯示器、太陽能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、光學(xué)器件、高檔裝飾用品等生產(chǎn)過程中均需要進(jìn)行濺射鍍膜工藝，濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊。集成電路生產(chǎn)對濺射靶材的技術(shù)要求最高，價(jià)格也最為昂貴，對于靶材純度和技術(shù)的要求高于平面顯示器、太陽能電池等其他應(yīng)用領(lǐng)域。一般而言，芯片制造對濺射靶材金屬純度的要求最高，通常要求達(dá)到99.9995%(5N5)以上，平板顯示器、太陽能電池分別要求達(dá)到99.999%(5N)、99.995%(4N5)以上即可。
根據(jù)基礎(chǔ)材料的不同可將靶材分為金屬靶材(純金屬鋁/鈦/銅/鉭等)、合金靶材(鎳鉻/鎳鈷合金等)、無機(jī)非金屬靶材(陶瓷化合物：氧化物/硅化物/碳化物等)、復(fù)合材料靶材。
資料來源：江豐電子招股說明書，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
在晶圓制造環(huán)節(jié)，濺射靶材主要用于晶圓導(dǎo)電層及阻擋層和金屬柵極的制作，主要用到鋁、鈦、銅、鎢、鉭等金屬，芯片封裝用金屬靶材與晶圓制造類似，主要有銅、鋁、鈦等。其中，晶圓制造導(dǎo)電層使用金屬靶材主要有鋁靶和銅靶，阻擋層使用金屬靶材主要有鉭靶和鈦靶，阻擋層主要有兩個(gè)作用，一方面是阻隔與絕緣，防止導(dǎo)電層金屬擴(kuò)散到晶圓主體材料硅中，另一方面作為黏附，用于粘結(jié)金屬和硅材料。一般來說，110nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上晶圓分別用鋁、鈦?zhàn)鳛閷?dǎo)線及阻擋層的薄膜材料，110nm以下晶圓分別使用銅，鉭材料作為導(dǎo)線及阻擋層的薄膜材料，隨著晶圓制程的縮小，未來對銅靶、鉭靶以及制作金屬柵極用鈦靶的用量占比將不斷提升。
2.靶材市場
根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）數(shù)據(jù)，2016年全球?yàn)R射靶材市場容量達(dá)113.6億美元，下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體占比10%、平板顯示占34%、太陽能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。WSTS預(yù)測到2019年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過163億美元。
資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
濺射靶材市場集中度較高，主要企業(yè)集中在美國和日本，其產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商，較早涉足該領(lǐng)域從事相關(guān)業(yè)務(wù)，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球?yàn)R射靶材市場的主導(dǎo)地位，2017年占據(jù)約80%市場份額。
全球主要靶材生產(chǎn)企業(yè)資料來源：互聯(lián)網(wǎng)，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2015年國內(nèi)高純?yōu)R射靶材市場的市場需求規(guī)模約153.5億人民幣，占全球市場的24.17%，而國內(nèi)靶材企業(yè)市場份額不到全球的2%，國內(nèi)市場的自給率低于10%。而由于近幾年中國大陸晶圓制造產(chǎn)線新增速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于全球其他地區(qū)，國內(nèi)靶材市場也保持高速增長，預(yù)計(jì)2016-2019年國內(nèi)靶材市場規(guī)模復(fù)合增長率不低于20%。
國內(nèi)濺射靶材的高純金屬原料多數(shù)依靠進(jìn)口。與其他各類半導(dǎo)體原材料類似，國內(nèi)提純技術(shù)有限，提純出來的基礎(chǔ)材料絕大部分達(dá)不到半導(dǎo)體材料高純度的生產(chǎn)要求。長期以來，國內(nèi)廠商主要通過從國外進(jìn)口獲得高純金屬供給。
近年來，受益于國家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國國內(nèi)開始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，突破靶材專業(yè)技術(shù)門檻，已在國內(nèi)靶材市場占據(jù)一定份額，主要有江豐電子、阿石創(chuàng)、有研新材和隆華節(jié)能等，并成功開發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材。
國內(nèi)主要靶材生產(chǎn)企業(yè)資料來源：WIND，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
CMP拋光材料
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP，Chemical Mechanical Polishing）是集成電路制造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。CMP拋光工藝是目前最先進(jìn)的拋光工藝，與傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法不同，CMP工藝是通過表面化學(xué)作用和機(jī)械研磨的技術(shù)結(jié)合來實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)不同材料的去除，即可獲得較為完美的表面，又可得到較高的拋光速度，且拋光平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。晶圓生產(chǎn)所需的CMP拋光次數(shù)隨著線寬的縮小而增加，生產(chǎn)250nm級(jí)晶圓時(shí)所需要的平均拋光次數(shù)為8次，而7nm級(jí)晶圓生產(chǎn)所需要的平均拋光次數(shù)高達(dá)29次。由于拋光材料是消耗性材料，對CMP拋光材料的需求也會(huì)隨著線寬的縮小而增加。
CMP工藝過程用到的材料有拋光液、拋光墊、調(diào)節(jié)器等，其中拋光液和拋光墊是最核心的材料，占比分別為49%和33%。
資料來源：安集科技招股說明書，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
1.CMP拋光材料的應(yīng)用
（1）拋光液
拋光液的主要成分包含研磨顆粒、各種添加劑和水，其中研磨顆粒主要為硅溶膠和氣相二氧化硅。拋光液原料中添加劑的種類可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行配比，如金屬拋光液中有金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等，非金屬拋光液中有各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。拋光液的技術(shù)核心在于其配方，也是技術(shù)壁壘的關(guān)鍵所在。
CMP的主要成分及其作用資料來源：互聯(lián)網(wǎng)，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
（2）拋光墊
拋光墊是CMP系統(tǒng)的重要組成部分，也是CMP的主要消耗品。拋光墊的表面結(jié)構(gòu)和組織直接影響拋光墊的性能，進(jìn)而影響CMP過程及加工效果。拋光墊表面開溝槽是改善拋光墊性能的主要途徑之一。拋光墊溝槽的形狀、尺寸及溝槽分布等因素對CMP加工區(qū)域中的拋光液流量、壓力及其分布等產(chǎn)生重要影響。拋光墊通常用聚亞胺脂做成，因?yàn)榫蹃啺分邢窈＞d一樣的機(jī)械特性和多孔吸水特性。
拋光墊的技術(shù)壁壘主要是溝槽的設(shè)計(jì)及提高使用壽命。由于拋光墊是消耗品，所以提高使用壽命能降低工藝成本。
2.CMP拋光材料的市場
2018年，全球CMP拋光液和拋光墊的市場規(guī)模分別是12.7億美元和7.4億美元。
全球化學(xué)機(jī)械拋光液市場主要被美國和日本企業(yè)壟斷，主要企業(yè)包括美國的Cabot Microelectronics（卡博特微電子）、Versum和日本的Hitachi、Fujifilm等。其中，2017年，Cabot Microelectronics是全球拋光液市場的龍頭企業(yè)，市占率最高，但已經(jīng)從2000年的約80%下降至2017年的約37%。
資料來源：Cabot，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
國內(nèi)拋光液的需求量約為全球需求量的30%，然而國內(nèi)高端半導(dǎo)體用拋光液的供給商僅有安集科技一家，且其全球市場占有率僅2.44%。安集科技已完成銅及銅阻擋層、硅、氧化物等CMP拋光液產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。其中銅及銅阻擋層拋光液技術(shù)水平處于國際先進(jìn)地位，130nm-28nm產(chǎn)品已量產(chǎn)并進(jìn)入主流晶圓生產(chǎn)商，14nm級(jí)別產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入客戶推廣階段，10nm-7nm級(jí)別產(chǎn)品正在研發(fā)。其前五大客戶包括中芯國際、臺(tái)積電、長江存儲(chǔ)、華潤微電子和華虹半導(dǎo)體等國內(nèi)知名廠商。
在拋光墊方面，全球市場幾乎被美國陶氏所壟斷，陶氏占據(jù)了全球拋光墊市場約79%的市場份額。國外其他拋光墊生產(chǎn)商有美國的Cabot Microelectronics、日本東麗、臺(tái)灣三方化學(xué)等。目前國內(nèi)從事拋光墊材料生產(chǎn)研究的只有兩家企業(yè)：鼎龍股份和江豐電子。鼎龍股份目前是國內(nèi)拋光墊研發(fā)和生產(chǎn)龍頭企業(yè)，8英寸拋光墊已經(jīng)獲得國內(nèi)晶圓代工廠訂單，12英寸拋光墊已經(jīng)獲得中芯國際的認(rèn)證，2019年上半年也獲得第一張12英寸拋光墊訂單。江豐電子聯(lián)合美國嘉柏微電子材料股份有限公司，就拋光墊項(xiàng)目進(jìn)行合作。
三、國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場總結(jié)
國產(chǎn)替代空間巨大
2018年，我國大陸半導(dǎo)體材料銷售額為84.4億美元，占全球份額的16.25%，然而我國內(nèi)資企業(yè)在國內(nèi)的半導(dǎo)體市場份額較低，尤其是高端半導(dǎo)體材料，自給率均不超過10%，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。
目前，半導(dǎo)體材料高端產(chǎn)品大多集中在日本、美國、德國、韓國、中國臺(tái)灣等國家和地區(qū)生產(chǎn)商。國內(nèi)由于起步晚，技術(shù)積累不足，整體處于相對落后的狀態(tài)。目前，國內(nèi)半導(dǎo)體材料主要集中在中低端領(lǐng)域，高端產(chǎn)品基本被國外生產(chǎn)商壟斷。近年來，在國家政策的引導(dǎo)下，國內(nèi)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商加大了研發(fā)投入，并取得了一定的成效，目前在部分細(xì)分領(lǐng)域，已經(jīng)突破了國外壟斷，實(shí)現(xiàn)了規(guī)模化供貨。如CMP拋光材料的龍頭企業(yè)安集科技，公司化學(xué)機(jī)械拋光液已在130-28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N售，主要應(yīng)用于國內(nèi)8英寸和12英寸主流晶圓產(chǎn)線；濺射靶材龍頭江豐電子，16納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)批量供貨，同時(shí)還滿足了國內(nèi)廠商28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)需求。
國家集成電路大基金第二期將重點(diǎn)投資半導(dǎo)體材料
國家集成電路大基金二期將重點(diǎn)投資半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。據(jù)中證報(bào)消息，國家集成電路大基金二期三月底開始實(shí)質(zhì)投資。大基金二期于2019年10月22日注冊成立，注冊資本為2041.5億元。國家集成電路大基金二期更關(guān)注半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體設(shè)備的投資。在這之前的大基金一期于2014年9月成立，募資1387億元，最終撬動(dòng)5150億社會(huì)投資。在大基金一期投資項(xiàng)目中，集成電路制造占67%，設(shè)計(jì)占17%，封測占10%，裝備材料類占6%?？梢钥闯?，大基金一期的第一著力點(diǎn)是制造領(lǐng)域，首先解決國內(nèi)代工產(chǎn)能不足、晶圓制造技術(shù)落后等問題，投資方向集中于存儲(chǔ)器和先進(jìn)工藝生產(chǎn)線，投資于產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)前三位企業(yè)比重達(dá)70%。國家集成電路基金對半導(dǎo)體企業(yè)的扶持作用顯而易見，其培養(yǎng)了一批國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，并且在各自細(xì)分領(lǐng)域擁有國際競爭力，如中微公司、匯頂科技、國科微等。
半導(dǎo)體材料上市公司投資機(jī)會(huì)
半導(dǎo)體材料各細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè)
半導(dǎo)體材料A股上市公司重要財(cái)務(wù)指標(biāo)對比資料來源：WIND，株洲動(dòng)力谷產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)研究院有限公司
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