本帖最后由 miraclever 于 2012-8-8 17:12 編輯  又是一個關(guān)于低功耗應(yīng)用中的案例，這次是關(guān)于mos管的特性引發(fā)的一個小問題，呵呵，我比較喜歡將問題分析過程也發(fā)上來供大家參考，授人以漁不如授人以漁，我將整個過程分享給大家是希望大家能夠從中找到適合自己的知識點(diǎn)，同時也不是直接告訴你不能這樣用，不能那樣用，我寫的類似一個小故事，大家耐心的看完就好像自己做了一次這樣的實(shí)驗一樣，這樣能夠加深印象，避免再次走彎路，同時一個好的工程師不應(yīng)該是首先要有足夠的耐心嗎？:) 這個案例跟上次我發(fā)的那個（關(guān)于低功耗設(shè)計的一個案例）一樣，同樣是應(yīng)用在低功耗產(chǎn)品上出現(xiàn)的問題，只是關(guān)于這個現(xiàn)象（姑且這樣叫，因為不是故障）大家要注意了，這個是mos管的一個特性，在特定的環(huán)境下會引發(fā)一些特殊的故障。 描述如下：按客戶要求設(shè)計一款可以待機(jī)90天的終端產(chǎn)品，這真是有點(diǎn)強(qiáng)人所難啊，同樣也是由于終端外殼的體積限制無法使用大容量的電池，最終選用了3.7V 2400mah的一款鋰電，由于此款終端客戶要求24小時激活一次，正常工作10分鐘，通過計算得知該款終端在休眠時電流必須在100ua一下，才能達(dá)到要求，經(jīng)過長時間的研究和論證得出硬件方案，理論上在深度休眠時終端電流可下降至50ua左右，滿足客戶要求，于是按正常流程走：原理圖-PCB-樣機(jī)，樣機(jī)出來后，經(jīng)過測試排除一些設(shè)計上小bug（飛了n跳線，哈哈）基本上正常工作了，休眠電流在43ua，一次成功，非常興奮，對自己的佩服簡直是猶如滔滔江水連綿不絕啊，哈哈，但是，“首次打板樣機(jī)100%不可能一次成功定律”發(fā)揮了威力，樣機(jī)在進(jìn)行高溫（+75度）時出現(xiàn)了意外情況，測試人員反應(yīng)，在高溫想加熱到75度時，終端無法進(jìn)入深度休眠，具體表現(xiàn)為10分鐘重啟一次，拿到常溫行冷卻一會就好了，聽到這個消息第一反應(yīng)就是肯定有元器件虛焊了，在高溫下焊點(diǎn)開裂，常溫下焊點(diǎn)又閉合，因為是手焊接的樣板這種現(xiàn)象一點(diǎn)也不奇怪，于是把相關(guān)深度休眠的電路部分重新用烙鐵焊一遍，再次放進(jìn)高溫箱進(jìn)行測試，結(jié)果現(xiàn)象依舊，看來不是虛焊的問題，介于這種故障現(xiàn)象還有一種可能就是某元器件的熱穩(wěn)定性不好，在高溫下失效，于是就用熱風(fēng)槍對著相關(guān)電路挨個吹，同時進(jìn)行電流電壓監(jiān)控，果然，在機(jī)器進(jìn)入休眠時，隨著熱風(fēng)槍的溫度升高的不斷升高，深度休眠開關(guān)Q10漏流逐漸加大，到了70度左右，該開關(guān)失效，如上圖所示，硬件工程師在設(shè)計電路時由于考慮到低功耗，所以使用的較多的場效應(yīng)管，由于MOS的特性，隨著溫度的升高其漏流會增加，隨著Q10漏電流的增加在R22上面產(chǎn)生的壓降就越大（由于MOS管屬于電壓控制器件其內(nèi)阻很大，可忽略不計），于是Q11這個低功耗主要控制器件就從截至狀態(tài)慢慢的進(jìn)入到了飽和導(dǎo)通狀態(tài)，于是將原Q11更換為普通的NPN三極管故障排除（Q10漏電流不足導(dǎo)通三極管）。 福利時間  MRT1040DLT 3.0V-5.25V超寬電壓輸入CAN總線隔離模塊 猛擊這里下載數(shù)據(jù)手冊 MRT485DLT 3.0V-5.25V超寬電壓輸入485總線隔離模塊 猛擊這里下載數(shù)據(jù)文檔 MRT232DLT 3.0V-5.25V超寬電壓輸入232總線隔離模塊 猛擊這里下載數(shù)據(jù)文檔 |
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