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可以通過(guò)看電路圖紙中畫的MOS形狀來(lái)判斷MOS管是高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通。如果箭頭指向柵極，那么MOS管就是高電平導(dǎo)通。如果箭頭未指向柵極，那么MOS管就是低電平導(dǎo)通。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。

此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管晶體管邏輯電路不兼容。

在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極D和源極S。

然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。