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上世紀九十年代，信息科技蓬勃興起，作為信息時代技術(shù)基礎(chǔ)的集成電路-微電子技術(shù)成為大熱門。郝躍敏銳地感覺到傳統(tǒng)的微電子技術(shù)研究已經(jīng)遇到了問題，尋找新的方向，是學術(shù)帶頭人郝躍直覺到的內(nèi)在要求。他把目光轉(zhuǎn)向化合物半導體，并最終聚焦到國際上剛起步的寬禁帶半導體材料——氮化鎵、碳化硅。他看到，寬禁帶半導體材料研究可以把電子學與光學緊密結(jié)合，必然具備單純的電子學或光學不具備的優(yōu)勢，同時也有很高的學術(shù)和應(yīng)用價值，容易形成先發(fā)優(yōu)勢。

于是，他的研究開始聚焦到國際上剛起步的寬禁帶半導體材料氮化鎵、碳化硅，并將突破高質(zhì)量的寬禁帶半導體材料，通過一系列微電子工藝技術(shù)做成寬禁帶半導體器件和集成電路，再把其推廣應(yīng)用到生產(chǎn)生活各個領(lǐng)域，作為自己及其團隊的責任和使命。

新型氮化物半導體國際上稱為第三代材料，又稱為寬禁帶半導體材料。氮化物半導體器件在通信、電力系統(tǒng)、照明、生物、醫(yī)療，以及軍事領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用前景。

對此，郝躍和團隊的研究取得了一系列創(chuàng)新成果，2004年，西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室掛牌；2005年前后，國內(nèi)寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)開始發(fā)展之時，西安電子科技大學的寬禁帶半導體研究已經(jīng)有了深厚的積累，出版了國內(nèi)最早探討寬禁帶半導體的專著《碳化硅寬帶隙半導體技術(shù)》；2007年，寬帶隙半導體技術(shù)國家重點學科實驗室獲批；2019年，國家工程研究中心建設(shè)獲批。

如今，以郝躍為學術(shù)帶頭人的寬帶隙半導體技術(shù)國家重點學科實驗室，已成為國內(nèi)外寬禁帶半導體材料和器件科學研究、人才培養(yǎng)、學術(shù)交流、成果轉(zhuǎn)化方面的重要基地，引領(lǐng)我國寬禁帶半導體研究自主發(fā)展，服務(wù)產(chǎn)業(yè)工程應(yīng)用。

郝躍院士團隊是國家首批國防科技創(chuàng)新團隊、西安電子科技大學優(yōu)秀創(chuàng)新團隊，國內(nèi)最早開展寬禁帶半導體材料與器件研究的團隊，在國內(nèi)外有顯著的學術(shù)影響力。

主要研究方向包括：寬禁帶半導體材料與器件、微納米半導體器件與器件物理、SoC設(shè)計與設(shè)計方法學、半導體器件可靠性與失效物理等。

研究團隊擁有1200平米超凈實驗室，擁有從設(shè)備制造、材料生長、器件設(shè)計、工藝流片、可靠性測試分析的全套實驗平臺，設(shè)備價值1.2億元，在國內(nèi)高校首屈一指。研究團隊得到了國家科技重大專項、863計劃、973計劃、國家自然科學基金等多項重大項目的支持，經(jīng)費充足，年均科研經(jīng)費5000-9000萬元。

團隊帶頭人：郝躍院士

郝躍，男，漢族，1958年3月生于重慶市，籍貫安徽阜陽，2014年加入九三學社。中國科學院院士，微電子學家。

IEEE高級會員，中國電子學會常務(wù)理事，陜西電子學會、集成電路行業(yè)協(xié)會和陜西半導體照明協(xié)會理事長。國家重大專項實施專家組組長，總裝微電子專家組組長，國家電子信息科學與工程專業(yè)指導委員會副主任委員?，F(xiàn)任九三學社中央常委、陜西省委會主委，中國僑聯(lián)常委、陜西省僑聯(lián)主席，西安電子科技大學微電子學院教授、博士生導師，全國政協(xié)委員。

長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng)，是國家重大基礎(chǔ)研究(973)計劃項目首席科學家、國家有突出貢獻的中青年專家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專家。他在氮化鎵/碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體照明短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。

參考來源

西安電子科技大學官網(wǎng)、陜西科技傳媒、陜西科技報社、百度百科