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瑞禧供應(yīng) 金屬/Si硅基/CsPbBr3/鹵素鈣鈦礦量子點(diǎn)

量子點(diǎn)是三維尺寸均在納米尺度的半導(dǎo)體納米晶體,在受到光電刺激時(shí)根據(jù)其組分和尺寸不同會(huì)發(fā)出不同顏色的光,由于量子點(diǎn)可作為純凈的光源,大幅提升顯示色域,因而成為新型顯示技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。

常見(jiàn)的量子點(diǎn)材料包括II-VI族的鎘系量子點(diǎn)、III-V族的磷化銦量子點(diǎn)。

無(wú)機(jī)鈣鈦礦是一種具有高產(chǎn)率、高單分散性、寬發(fā)射譜范圍、發(fā)射光譜可調(diào)、短熒光壽命、低制備成本等優(yōu)點(diǎn)的納米材料。

鈣鈦礦量子點(diǎn)在包括LED、光電探測(cè)器、量子點(diǎn)激光器、太陽(yáng)能電池等功能器件上具有極高的應(yīng)用價(jià)值。

金屬鹵化物鈣鈦礦量子點(diǎn)體系材料因其制備工藝簡(jiǎn)單、熒光量子產(chǎn)率高、色域覆蓋范圍廣以及發(fā)光純度高等優(yōu)點(diǎn),引起了國(guó)內(nèi)外研究人員的廣泛關(guān)注。經(jīng)過(guò)科學(xué)家的不懈努力,目前基于鈣鈦礦量子點(diǎn)材料的紅、綠、藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)已可成功制備,在發(fā)光亮度、色純度和能耗等方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì),有望應(yīng)用于大尺寸超清顯示和高端照明等領(lǐng)域。

瑞禧供應(yīng)量子點(diǎn):

金屬鹵素鈣鈦礦量子點(diǎn)

下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料量子點(diǎn)ZnS

Si硅基鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbI3量子點(diǎn)

CsPbBr3鈣鈦礦量子點(diǎn)

膠體量子點(diǎn)(colloidal quantum dots,簡(jiǎn)稱CQDs)

Cu-In-Zn-Se量子點(diǎn)

InGaN量子點(diǎn)

無(wú)鎘CuInS2-ZnS合金(ZnCuInS)量子點(diǎn)

CdSe量子點(diǎn)硅樹(shù)脂復(fù)合材料

銅銦硫基半導(dǎo)體量子點(diǎn)

ZnCdSe-Znse 量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)(QDS)材料

AlGaAs量子點(diǎn)

InAlAs/AlGaAs量子點(diǎn)

InAs/GaAs量子點(diǎn)

10 nm的CdSSe/ZnS量子點(diǎn)

硫化鉍PEG修飾Bi2S3量子點(diǎn)

離子摻雜YVO4納米發(fā)光材料的晶體

羥基磷灰石(HAp)發(fā)光納米晶

YBO3:Eu3+納米晶

PbWO4和PbO2晶體

離子摻雜YVO4納米發(fā)光材料的晶體

Cu-In-Zn-Se量子點(diǎn)

Zn(Cu)-In-Se(S)多元量子點(diǎn)

Cu-Zn-In-S/ZnS核殼量子點(diǎn)

二硫化錫-銅銦硫量子點(diǎn)

銦鎵氮(InGaN)量子點(diǎn)

InGaAs/GaAs/AlGaAs量子點(diǎn)

親水性CZTS量子點(diǎn)

Gasb/GaAs量子點(diǎn)

Au@Si金硅量子點(diǎn)

硅量子點(diǎn)Si-based quantum dot

Cu摻雜硅量子點(diǎn)

水溶性熒光硅量子點(diǎn)

SixN/SiyC包覆硅量子點(diǎn)

聚異丙基丙烯酰胺功能化的熒光硅量子點(diǎn)

GeSi鍺硅量子點(diǎn)

ZnS/SiO2量子點(diǎn)

CdSe/SiO2量子點(diǎn)復(fù)合熒光納米粒子

CdS/SiO2量子點(diǎn)

Ge/SiO2量子點(diǎn)

ZnSe/SiO2半導(dǎo)體量子點(diǎn)

CdTe/CdS/ZnS/SiO2多層核殼量子點(diǎn)

CdSe/ZnS/SiO2多層核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)




以上資料來(lái)自瑞禧生物 小編(YXX.2021.3)

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