由此集成電路從產(chǎn)生到成熟大致經(jīng)歷了如下過程：
電子管——晶體管——集成電路——超大規(guī)模集成電路
1906年，第一個電子管誕生；
1918年前后，逐步發(fā)現(xiàn)了半導體材料；
1932年前后，運用量子學說建立了能帶理論研究半導體現(xiàn)象
(這也為經(jīng)典工藝所能達到的集成尺寸極限下了定論——7NM)；
1946年，威廉.肖克利(硅谷創(chuàng)始人，杰出的電子工藝學家，物理學家)的
研發(fā)小組成功研發(fā)半導體晶體管，使得IC大規(guī)模地發(fā)揮熱力奠定了基礎；
1960年12月，世界上第一塊硅集成電路制造成功；
1966年，美國貝爾實驗室使用比較完善的硅外延平面工藝制造成第一塊公認的大規(guī)模集成電路；
1988年，16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成了3500萬個晶體管
1997年，300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝，奔騰系列芯片的推出讓計算機的發(fā)展更加迅速；
2009年，intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。
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