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鈣鈦礦概念股整理
⑴鈣鈦礦:第三代太陽能電池,商業(yè)化進(jìn)程有望提速

鈣鈦礦是具有革命性的新材料。鈣鈦礦太陽能電池是利用鈣鈦礦型的有機(jī)金屬鹵化物半導(dǎo)體(具有ABX3的化學(xué)通式)作為吸光材料的太陽能電池。鈣鈦礦電池具有效率上限高、成本低、可疊層、柔性四大優(yōu)勢,是具有革命性的新材料。

效率、穩(wěn)定性為商業(yè)化核心因素,正處于快速改善階段。效率方面,鈣鈦礦(小面積)實(shí)驗(yàn)室效率提升迅速,已經(jīng)遠(yuǎn)超晶硅電池極限效率;大面積鈣鈦礦生產(chǎn)線轉(zhuǎn)化效率亦有望持續(xù)提升,協(xié)鑫光電規(guī)劃自身組件效率于2023年達(dá)18%;于2024年達(dá)20%;于2025年達(dá)22%。穩(wěn)定性方面,當(dāng)前國內(nèi)外的研究中,最大光功率輸出點(diǎn)MPP處的長期運(yùn)行穩(wěn)定性已經(jīng)長達(dá)幾千個小時;纖納光電α組件已順利通過IEC61215、IEC61730穩(wěn)定性全體系認(rèn)證,可在雙85測試下工作1000小時。

鈣鈦礦商業(yè)化進(jìn)程提速。截至目前,國內(nèi)已有三條百兆瓦級別的鈣鈦礦光伏組件產(chǎn)線建成(協(xié)鑫光電、纖納光電、極電光能),多條百兆瓦產(chǎn)線、GW級產(chǎn)線正在推進(jìn)中。根據(jù)我們的不完全統(tǒng)計(jì),2022年鈣鈦礦產(chǎn)能約為0.47GW,2023/2024年有望達(dá)到1.16/4.47GW。在技術(shù)與資本的雙重推進(jìn)下,我們認(rèn)為多條GW級別生產(chǎn)線有望于2023年招標(biāo),2-3年內(nèi)落地。

⑵單節(jié)鈣鈦礦電池:建議優(yōu)先關(guān)注鍍膜、涂布設(shè)備

以協(xié)鑫光電100MW生產(chǎn)線為例,單節(jié)鈣鈦礦生產(chǎn)線主要設(shè)備包括PVD設(shè)備、涂布設(shè)備、激光設(shè)備、封裝設(shè)備。具體的生產(chǎn)流程為:陽極緩沖層——激光P1——鈣鈦礦涂布——陰極緩沖層——激光P2——背電極——激光P3——激光P4——封裝設(shè)備。

PVD是鈣鈦礦電池核心設(shè)備,技術(shù)較為成熟,價值量占比高。PVD(物理氣相沉積)設(shè)備并非新概念,其在半導(dǎo)體&HJT領(lǐng)域已有應(yīng)用,技術(shù)較為成熟。鈣鈦礦生產(chǎn)線中,PVD設(shè)備主要用途為給電子傳輸層、空穴傳輸層以及電極等進(jìn)行鍍膜,因此一條生產(chǎn)線可能需要多套設(shè)備,這使得目前PVD鍍膜設(shè)備占鈣鈦礦整線的價值比例高達(dá)50%左右。

涂布設(shè)備主要用于制備鈣鈦礦層,具有性價比優(yōu)勢。無接觸的狹縫涂布工藝,可以滿足當(dāng)前鈣鈦礦層物理一致性的要求,且涂布工藝單設(shè)備投資額通常在300-400萬左右,與PVD設(shè)備相比性價比較高。但后道控晶具有一定難度,膜層質(zhì)量(化學(xué)一致性)仍有待提高,因此設(shè)備、工藝均尚需完善。目前上海德滬涂膜市占率達(dá)70%。

激光工藝涉及到整個鈣鈦礦薄膜電池的制備流程,起分片效果。加工精度高、適用薄膜材料的激光是實(shí)現(xiàn)電路連接的關(guān)鍵,是整個鈣鈦礦電池制備的必備環(huán)節(jié)。鈣鈦礦電池需要分別進(jìn)行3次平行激光刻蝕(P1-P3),并完成P4的清邊,整體價值量約10~20%。在P1-P3的刻蝕環(huán)節(jié),激光實(shí)現(xiàn)切割效果,使材料表面快速被加熱到汽化并形成槽線,從而可以形成阻斷電流導(dǎo)通的單獨(dú)模塊,起分片效果,以實(shí)現(xiàn)增大電壓和串聯(lián)電池的目標(biāo)。

⑶疊層鈣鈦礦電池:效率優(yōu)勢明顯,光伏終極解決方案

鈣鈦礦/晶硅疊層為晶硅電池進(jìn)一步增效,或?qū)蔀殁}鈦礦產(chǎn)業(yè)化的初期路徑。鈣鈦礦/晶硅疊層電池需要將晶硅表面做成鋸齒面,便于鈣鈦礦層吸光?,F(xiàn)有技術(shù)較難實(shí)現(xiàn)在鋸齒面上涂布鈣鈦礦層,因此鈣鈦礦/晶硅疊層電池的鈣鈦礦層需要更多運(yùn)用PVD鍍膜技術(shù)。

全鈣鈦礦疊層電池理論效率最高,度電成本最低,有望成為產(chǎn)業(yè)化的終極路徑。全鈣鈦礦疊層電池的難度整體不大,主要性能取決于單節(jié)鈣鈦礦電池性能,難點(diǎn)在于由于層數(shù)的增加,需要解決下層均勻度偏差問題的累積問題,且對激光刻蝕工藝要求更高。

⑷建議關(guān)注設(shè)備價值量較高的鍍膜設(shè)備商京山輕機(jī)、捷佳偉創(chuàng);依托原有蒸鍍技術(shù),擬切入鈣鈦礦賽道的奧來德;提出“材料+裝備+組件”三位一體規(guī)劃的奧聯(lián)電子;激光設(shè)備商大族激光、杰普特、帝爾激光
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