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狀元來了:【高效電池專題】(五)HIT電池

電池面積143.7cm2STC光電轉(zhuǎn)換效率25.6%!沒錯,今天我們將全方位呈現(xiàn)給您晶體硅(基)高效太陽能電池的狀元——HIT電池的情況。下周,我們更將祭出大殺器——各類高效電池匯總分析,敬請期待。

HIT太陽能電池是hetero-junction with intrinsic thin-layer太陽能電池的簡稱,意為本征薄膜異質(zhì)結(jié)。常規(guī)太陽電池的p-n 結(jié)是由導(dǎo)電類型相反的同一種材料晶體硅組成的,屬于同質(zhì)結(jié)電池;而HIT 太陽電池的p-n 結(jié)是由兩種不同的半導(dǎo)體材料非晶硅/ 晶體硅組成,屬于異質(zhì)結(jié)電池。

一、HIT太陽電池的結(jié)構(gòu)和特點

1 HIT 太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖。它是以n型單晶硅片為襯底,在經(jīng)過清洗制絨的n c-Si正面依次沉積厚度為5~10nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p型非晶薄膜(p-a-Si:H),從而形成p-n異質(zhì)結(jié)。在硅片背面依次沉積厚度為5~10nmi-a-Si:H薄膜、n型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面場。在摻雜a-Si:H薄膜的兩側(cè),再沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜(TCO),最后通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)在兩側(cè)的頂層形成金屬集電極。

1 HIT電池的基本結(jié)構(gòu)示意圖

從上面的敘述看出,HIT 太陽電池結(jié)構(gòu)和工藝與常規(guī)晶體硅太陽電池有很大的區(qū)別。但是HIT 太陽電池結(jié)合了晶體硅電池和硅基薄膜電池的優(yōu)點。

  • 優(yōu)點

1)結(jié)構(gòu)對稱,可制成雙面電池。

HIT 電池是在單晶硅片的兩面分別沉積本征層、摻雜層、TCO 以及印刷電極,這種對稱結(jié)構(gòu)便于減少工藝設(shè)備和步驟。同時由于HIT電池的對稱結(jié)構(gòu),正反面受光照后都能發(fā)電,可以做成雙面電池組件。圖2是松下推出的HIT雙面組件HITTM Double正面及背面照片。

2 HIT雙面組件的正面和背面照片

在同樣的光照條件下,HIT 雙面組件后面能產(chǎn)生的電流約為前面的80%,因此其發(fā)電量比單面組件要多。以一個安裝實例來比較全年發(fā)電情況,從圖3可見,雙面發(fā)電量平均要高出10%以上。


3 HIT雙面組件與HIT單面組件一年中的輸出功率比較

2)低溫制造工藝,有效地保護(hù)載流子壽命

HIT 電池由于采用硅基薄膜形成p-n結(jié),因而最高工藝溫度就是非晶硅薄膜的形成溫度(約200℃),從而避免了傳統(tǒng)熱擴(kuò)散型晶體硅太陽電池形成p-n結(jié)的高溫(約900℃)。而且采用低溫工藝可使硅片的熱損傷和變形減小,可以使用薄型硅片做襯底,有利于降低材料成本。

3)高開路電壓特性,轉(zhuǎn)換效率高

由于是在晶體硅和摻雜薄膜硅之間插入了本征薄膜i-a-Si:H,且PECVD沉積非晶硅薄膜過程中產(chǎn)生的原子氫能對其界面進(jìn)行鈍化,更有效地降低晶體硅表面的缺陷,因此HIT 電池的開路電壓比常規(guī)電池要高許多,從而能夠獲得高的光電轉(zhuǎn)換效率。

4溫度特性好,實際應(yīng)用中發(fā)電輸出高

太陽電池的性能數(shù)據(jù)通常是在25℃的標(biāo)準(zhǔn)條件下測量的,然而光伏組件的實際應(yīng)用環(huán)境是室外,高溫下的電池性能尤為重要。當(dāng)太陽電池組件的工作溫度升高時,其輸出功率和轉(zhuǎn)換效率隨溫度的升高而下降。由于HIT 電池結(jié)構(gòu)中的非晶硅薄膜/晶體硅異質(zhì)結(jié),其溫度特性更為優(yōu)異,其溫度系數(shù)為-0.25%/℃,僅為晶體硅電池的溫度系數(shù)-0.45%/℃的一半左右,使得HIT電池在光照升溫情況下比常規(guī)電池有好的輸出。4STC條件下功率相同的HIT組件與常規(guī)晶體硅組件一天中的發(fā)電量比較,從中可見,HIT組件能多發(fā)電8%10%。

4 HIT組件與常規(guī)晶體硅組件一天中的發(fā)電功率與溫升對比

  • 存在的問題

1)設(shè)備投資高。由于采用了薄膜沉積的技術(shù),需要用到高要求的真空設(shè)備;

2)工藝要求嚴(yán)格。要獲得低界面態(tài)的非晶硅/晶體硅界面,對工藝環(huán)境和操作要求也較高;

3)需要低溫組件封裝工藝。由于HIT 電池的低溫工藝特性,不能采取傳統(tǒng)晶體硅電池的后續(xù)高溫封裝工藝,需要開發(fā)適宜的低溫封裝工藝。


二、HIT太陽電池及組件及應(yīng)用

HIT 太陽電池的研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域,日本Panasonic-Sanyo2012Sanyo太陽能電池并入Panasonic)可謂一枝獨秀。

  • 1994年,三洋在1cm2面積上制備出轉(zhuǎn)換效率達(dá)20%HIT電池,HIT 電池的研究工作取得突破性進(jìn)展。

  • 1997年,三洋推出了商業(yè)化的HIT電池設(shè)計和制造方法。

  • 2013年,松下報道其商業(yè)規(guī)模的HIT電池最高電池效率達(dá)24.7%(電池面積約100cm2)。

  • 20144月,松下將IBC技術(shù)與HIT技術(shù)結(jié)合,研發(fā)出的HIT-IBC太陽電池最高效率達(dá)25.6%(電池面積143.7cm2,一舉打破了晶體硅電池轉(zhuǎn)換效率的世界紀(jì)錄,并將這個最高效率保持至今。

525.6%HIT電池的結(jié)構(gòu)示意圖及測試數(shù)據(jù)。


5 松下制備的效率為25.6 %HIT電池結(jié)構(gòu)及測試數(shù)據(jù)

隨著技術(shù)的進(jìn)步,HIT電池的效率不斷提高,其組件的輸出功率也越來越大。

  • 1997年,三洋開始HIT電池的量產(chǎn),并推出了命名為HIT Power 21TM的太陽電池組件,該組件采用96片面積約100 cm2、效率約17.3%HIT電池封裝而成,組件效率為15.2%,輸出功率達(dá)180Wp。

  • 20034月,三洋商業(yè)化了功率為200WpHIT組件,該組件效率為17%,所用的電池效率達(dá)19.5%。

  • 2011年,三洋推出了240WpN系列HIT組件,它由72125mm×125mm(約5inch)的HIT 電池封裝而成,組件效率達(dá)19%,所用的電池效率達(dá)21.6%。

  • 2014 年初,松下推出N系列72片電池的245Wp的組件,組件轉(zhuǎn)換效率達(dá)到19.4%

  • 2015年,松下推出由965inch電池構(gòu)成的HIT N330系列組件,組件面積1.053m×1.590m,組件轉(zhuǎn)換效率19.7%,STC下輸出功率達(dá)到330Wp。

松下HIT系列組件瞄準(zhǔn)歐洲和日本的住宅屋頂市場,主要由其最先進(jìn)的馬來西亞一體化組件廠生產(chǎn)。目前,松下HIT產(chǎn)線總產(chǎn)能約900MW,計劃到20163月將其總產(chǎn)能將提升至1GW以上。圖6是松下公司介紹N330系列HIT 組件的說明圖。

6 松下HITN330組件說明圖

三、總結(jié)與展望

HIT太陽電池組件是目前已經(jīng)量產(chǎn)的高效率硅基太陽電池組件,與常規(guī)晶體硅太陽電池組件相比,其單位面積的發(fā)電量要高出20%左右;由于HIT電池組件較低的溫度系數(shù),溫度升高后效率和輸出功率下降得相對更少,比常規(guī)晶體硅太陽電池組件在一天中能多發(fā)電8%10%。同時,由于結(jié)構(gòu)對稱,能夠制作成雙面HIT 電池組件,HIT雙面組件比單面組件能多發(fā)電10%以上。因此,使用高效率的HIT太陽電池組件能充分節(jié)省土地資源和屋頂資源,在分布式光伏電站中表現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。

隨著松下公司關(guān)于HIT太陽電池的主體專利在2010年到期,國內(nèi)外諸多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)都加大了對HIT太陽電池的研發(fā)與投入。主流光伏設(shè)備供應(yīng)商梅耶博格(Meyer Burger)于201411月正式開啟其在瑞士的異質(zhì)結(jié)太陽電池中試線;美國光伏安裝商SolarCity 20149月宣布破土動工其位于紐約州的新1GWp工廠,技術(shù)來源于其所收購的Silevo公司(賽昂電力)的隧道異質(zhì)結(jié)型太陽電池;我國在“十二五”期間啟動了基于中試水平的MW級薄膜硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)的863項目,超日太陽能、中科院電工所等承擔(dān)相關(guān)研究工作。未來隨著HIT太陽電池組件的效率進(jìn)一步提升,生產(chǎn)成本逐步下降,它將與常規(guī)晶體硅太陽電池組件競爭,必將得到廣泛的應(yīng)用。

參考材料:

1】高效HIT 太陽電池組件及其應(yīng)用,李正平、沈文忠,《上海節(jié)能》,2015年第1期。



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