在工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用中可連接多個(gè)系統(tǒng)，這樣做有很多好處，但是當(dāng)這些系統(tǒng)之間存在高壓差時(shí)，設(shè)計(jì)人員就需要管理電壓不一致問(wèn)題，其中包括系統(tǒng)接地的較大壓差。
解決這些模擬和數(shù)字電流隔離挑戰(zhàn)的硬件技術(shù)包括光學(xué)、磁性和電容隔離柵。要隔離的傳輸信號(hào)類(lèi)型包括模擬信號(hào)、電源信號(hào)和數(shù)字信號(hào)。本文將介紹適合的工業(yè)電壓隔離解決方案及其應(yīng)用。
電流隔離柵
電流隔離是通過(guò)防止電壓和接地之間產(chǎn)生電流來(lái)分隔電路的行為。以下是從兩條或多條電路之間的直接連接形成的電流（圖 1）。
圖1：從工業(yè)機(jī)器人特寫(xiě)照片可以看到控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源部分的隔離要求，以及這些區(qū)域之間的通信。（圖片來(lái)源：Texas Instruments）
在存在電流隔離情況下，沒(méi)有直接的傳導(dǎo)路徑。此類(lèi)型電路的好處在于，可通過(guò)使用光場(chǎng)、磁場(chǎng)或電場(chǎng)，利用電流隔離柵交換模擬或數(shù)字信息。這些場(chǎng)打開(kāi)了很多門(mén)。通過(guò)其中的一個(gè)門(mén)，多個(gè)系統(tǒng)可以在不同的接地和電壓電位下安全、正確地運(yùn)行。它們還可以交換模擬或數(shù)字信息，而不會(huì)在過(guò)程中相互干擾或破壞。
為了解決這些問(wèn)題，設(shè)計(jì)人員需要為多系統(tǒng)電路找到合適的電流隔離技術(shù)。可供選擇的技術(shù)包括光學(xué)（LED，光電二極管）、電氣（電容器）或磁性（電感器）解決方案。在本文中，所有隔離柵都在硅或半導(dǎo)體封裝的某個(gè)部分中實(shí)現(xiàn)（圖2）。
圖2：光耦合需要一個(gè)LED和光電二極管。電感耦合需要兩個(gè)由隔離器隔開(kāi)的繞組。電容耦合需要兩個(gè)由隔離器隔開(kāi)的導(dǎo)體。（圖片來(lái)源：Texas Instruments）
光學(xué)隔離
光學(xué)隔離依賴于傳輸光線的LED和接收光線的光電檢測(cè)器之間的分離。對(duì)于電流隔離，LED 通過(guò)隔離材料（如透明聚酰亞胺）對(duì)準(zhǔn)光電二極管。
圖3：光耦合器包含一個(gè)發(fā)射器 (LED) 和一個(gè)光電二極管（接收器），使用環(huán)氧樹(shù)脂黏著到引線框架，二者之間的透明聚酰亞胺提供隔離柵。（圖片來(lái)源：Texas Instruments）
光隔離的優(yōu)勢(shì)是不受電場(chǎng)和磁場(chǎng)的影響。但是，LED在其使用壽命內(nèi)會(huì)老化。
光學(xué)隔離應(yīng)用場(chǎng)景一：模擬信號(hào)
線性光耦
光電二極管伏安特性
線性光耦的型號(hào)：IL300，TIL300A，HCNR200/201，LOC11x/21x
光隔離設(shè)備的隔離柵能夠傳輸模擬或數(shù)字信號(hào)。Vishay Semiconductor Opto DivisionIL300 線性光耦合器是一種線性光隔離器件，封裝內(nèi)部有一個(gè)LED和兩個(gè)光電二極管，所有元件之間彼此實(shí)現(xiàn)電隔離。在IL300芯片中，LED光均勻照射在兩個(gè)光電二極管上，以產(chǎn)生同等的電流（IP1和IP2）（圖4）。
圖4：IL300 LED和光電二極管1 (IP1) 位于隔離柵的左側(cè)。光電二極管2 (IP2) 位于隔離柵的右側(cè)。（圖片來(lái)源：Vishay SemiconductorOpto Division）
在圖4中，U1放大器（Texas Instruments，TLV9064IDR）驅(qū)動(dòng)IL300 LED以產(chǎn)生反饋光電二極管電流 (IP1)。前饋光電二極管電流 (IP2) 通過(guò)隔離式R2電阻器發(fā)送，該電阻器位于隔離式U2放大器的反饋環(huán)路中。在此電路中，增益等于R2/R1。另外，Vout信號(hào)不受VCC1相對(duì)VCC2的變化和兩個(gè)接地的影響。
LED亮度隨時(shí)間的推移會(huì)降低。但是，圖4中的系統(tǒng)不依賴于LED的亮度水平；它只要求LED打開(kāi)。LED光線由兩個(gè)光電二極管平均地捕獲。要將IL300應(yīng)用于圖1中的框圖，人機(jī)接口(HMI) 與機(jī)器人控制器之間的位置可能較為適合。
光隔離應(yīng)用場(chǎng)景二：數(shù)字信號(hào)
光耦合器的另一個(gè)應(yīng)用是將設(shè)備用作數(shù)字發(fā)射器。Vishay Semiconductor Opto Division的SFH6750-X007T雙通道光耦合器和QT Brightek的QTM601T1單通道光耦合器是高速光耦合器，采用開(kāi)漏NMOS晶體管輸出，可輕松隔離模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 的三通道數(shù)字輸出（圖5）。
圖5：SFH6750雙通道隔離耦合器和QTM601T1單通道隔離耦合器構(gòu)成了隔離24位ΔΣ ADC的隔離柵。（圖片來(lái)源：Digi-KeyElectronics）
在圖5中，一個(gè)24位三角積分 (Δ?) 轉(zhuǎn)換器的串行輸出代碼從電路的隔離側(cè)傳輸?shù)较到y(tǒng)側(cè)。SFH6750在數(shù)字域中以光學(xué)方式完成此傳輸。
SFH6750和QTM601T1配置提供高達(dá)10兆波特率(MBd) 的傳輸速度，因而適合高速數(shù)據(jù)應(yīng)用。從圖1的框圖中可以看出，ADC接口可能適合放置于人機(jī)接口 (HMI) 與機(jī)器人控制器之間。
電感隔離
電感隔離采用兩個(gè)上下堆疊的線圈，線圈之間通過(guò)介電材料隔離開(kāi)來(lái)。施加交流信號(hào)后會(huì)產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)，進(jìn)而在次級(jí)線圈中產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)（圖 6）。
圖6：變壓器配置結(jié)構(gòu)包括采用聚酰亞胺分離開(kāi)來(lái)的兩個(gè)繞組。（圖片來(lái)源：Analog Devices）
電感隔離非常有效。但是，它也容易受到磁場(chǎng)的影響。
電感隔離應(yīng)用場(chǎng)景一：電源應(yīng)用
磁性隔離柵適用于模擬和電源隔離應(yīng)用。作為電源轉(zhuǎn)換器，Analog Devices的ADP1621ARMZ-R7隔離式升壓DC-DC控制器的電感器和外部電源FET在圖7中分別為T(mén)1和Q3。
圖7：使用ADuM3190磁性隔離放大器和ADP1621升壓DC-DC切換控制器的參考設(shè)計(jì)。（圖片來(lái)源：Analog Devices）
在圖7中，Analog Devices ADUM3190ARQZ-RL7高穩(wěn)定度線性隔離式誤差放大器提供了從T1的次級(jí)側(cè)到初級(jí)側(cè)的模擬反饋信號(hào)。整個(gè)電路的工作電壓為5V到24V，適用于標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)電源。
電容隔離
電容隔離元件的構(gòu)造包括緊密相鄰的兩塊電容板，兩板之間夾有電介質(zhì)。二氧化硅 (SiO2) 材料可植入電容板之間，以產(chǎn)生這種隔離能力。在此配置中，SiO2的擊穿電壓為500-800V/微米 (μm)。此類(lèi)隔離器的典型距離為27μm，因此隔離柵隔離能力為13.5 kV至21.6kV（圖 8）。
圖8：電容板之間的電介質(zhì)是二氧化硅 (SiO2)，可提供500-800V/μm的隔離保護(hù)。（圖片來(lái)源：Texas Instruments）
電容隔離最適合于小空間應(yīng)用。然而，其周邊電路比光學(xué)和磁性解決方案更為復(fù)雜。
電容隔離應(yīng)用場(chǎng)景一：模擬信號(hào)
典型的電容模擬隔離器如TexasInstruments AMC1301DWVRQ1或AMC1311DWV，接收模擬信號(hào)，將信號(hào)調(diào)制為數(shù)字表示，然后通過(guò)隔離柵傳輸數(shù)字化信號(hào)（圖9）。
圖9：AMC1311DWV電容式全差分模擬隔離器通過(guò)隔離柵傳輸二階三角積分 (Δ?) 調(diào)制器信號(hào)。（圖片來(lái)源：Texas Instruments）
在隔離柵的接收器側(cè)，信號(hào)被解調(diào)回差分輸出模擬信號(hào)。
電機(jī)控制環(huán)境中的電感負(fù)載易受高開(kāi)關(guān)電壓擺動(dòng)的影響。為確保正常運(yùn)行，需要不斷監(jiān)控此頻繁變化的環(huán)境。使用電阻分壓器降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的高共模電壓的隔離電壓檢測(cè)，就是相應(yīng)的AMC1301和AMC1311隔離放大器電機(jī)控制應(yīng)用（圖10）。
圖10：AMC1301檢測(cè)電感電橋的FET電流。AMC1311可感測(cè)變頻器中的直流總線電壓。（圖片來(lái)源：Texas Instruments）
在圖10中，通過(guò)分流電阻器RSHUNT和AMC1301隔離式放大器實(shí)現(xiàn)相電流測(cè)量。憑借高阻抗輸入和高共模瞬態(tài)抗擾度，AMC1311可感測(cè)偏置電壓VBIAS，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)配置的穩(wěn)定讀取。即使在高噪聲環(huán)境下，AMC1311也能確?？煽啃院蜏?zhǔn)確度，例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中所用變頻器的功率級(jí)讀取。
AMC1301和AMC1311均可抗電磁干擾，并具有高達(dá)7kVPEAK的電流隔離能力。當(dāng)與隔離式電源配合使用時(shí)，AMC1301和AMC1311可防止高共模電壓線路的噪聲電流進(jìn)入本地接地，以免干擾或損壞敏感電路。
電容隔離應(yīng)用場(chǎng)景二：數(shù)字信號(hào)
在準(zhǔn)備將直流信號(hào)傳輸至輸出引腳的過(guò)程中，典型電容式數(shù)字隔離器接收數(shù)字信號(hào)，將信號(hào)調(diào)制為適當(dāng)?shù)慕涣餍盘?hào)，然后發(fā)送至解調(diào)器（圖11）。
圖11：電容式數(shù)字隔離器需要將高直流輸入調(diào)制為交流信號(hào)。交流信號(hào)穿過(guò)隔離柵并解調(diào)回高直流值。（圖片來(lái)源：Silicon Labs）
在圖11中，只要傳輸信號(hào)保持高電平，就可以在接收器側(cè)生成高電平數(shù)字傳輸信號(hào)。此邏輯中的沖突是，如果電荷從電容板上消散，或者如果接收器端出現(xiàn)電源中斷，輸入狀態(tài)為高電平時(shí)，輸出可能會(huì)變?yōu)榱恪Ｈ绻l(fā)生這種情況，接收器數(shù)字信號(hào)高電平狀態(tài)會(huì)丟失。為了解決此問(wèn)題，調(diào)制器為數(shù)字“0”創(chuàng)建單個(gè)低電壓，并為數(shù)字“1”創(chuàng)建一個(gè)快速交流軌至軌信號(hào)（圖12）。
圖12：當(dāng)輸入代碼為“1”時(shí)，數(shù)字電容隔離器通過(guò)隔離柵發(fā)送交流信號(hào)。當(dāng)輸入代碼為“0”時(shí)，不需要發(fā)送此交流信號(hào)。（圖片來(lái)源：Silicon Labs）
一個(gè)電容式數(shù)字隔離實(shí)例就是，使用Silicon Labs SI8423數(shù)字耦合器連接微控制器和ADC之間的數(shù)字線路（圖13）。
圖13：四通道隔離式SPI接口，其中三個(gè)通道從左向右發(fā)送信號(hào)，一個(gè)通道從右向左發(fā)送信號(hào)。（圖片來(lái)源：Digi-KeyElectronics）
電容式數(shù)字設(shè)備消耗的功率較低，同時(shí)提供高數(shù)據(jù)速率和低傳播延遲。兩款器件均支持高達(dá)150兆位/秒(Mbits/s)的數(shù)據(jù)速率。
本文小結(jié)
在工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用中，多系統(tǒng)存在處理模擬和數(shù)字傳輸信號(hào)的困難，光學(xué)、磁性和電容電隔離柵可應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。通過(guò)組合使用這三種硬件技術(shù)和兩種信號(hào)傳輸技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)適合的工業(yè)自動(dòng)化解決方案。
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