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TFT制程分析之涂膠、曝光、顯影
這篇文章匯總了涂膠、曝光、顯影的基本知識;

先來個大流程圖,有個基本了解:


清洗工藝,我們之前的文章有講過,這個工序基本上不需要太強力的清潔單元(如HPMJ等)。

比如,EUV+BJ+普通噴淋+AK+烘干,即可。


1涂膠


HMDS


        因為光刻膠是疏水性的,直接涂覆在親水性較好的膜層表面上時,光刻膠與基板表面的密著性較差,容易產(chǎn)生涂覆不均的現(xiàn)象。所以在涂覆之前,選擇性的涂覆HMDS(六甲基二硅氮烷)。

        為什么是選擇性涂覆,因為金屬膜層(Mo除外)是疏水性的,無需涂覆HMDS。


光刻膠涂覆


        一般有旋轉(zhuǎn)涂覆和狹縫(slit)涂覆兩種模式,不過現(xiàn)在基本都是Slit模式了。

下面介紹一下常見的Slit模式構(gòu)造:


①Coating head

狹縫式噴嘴,用于噴涂光刻膠;

②Interference detection bar

在涂覆時,如果平臺上有異物,有可能干擾甚至損壞噴嘴。

因此,使用干擾檢測單元監(jiān)視工作臺上的情況。如有異常,立刻停止;


③Panel thickness measurement sensor

涂覆前,測量玻璃厚度,根據(jù)測量數(shù)值,自動補正(非接觸式測量)。保證Head和玻璃平行;

④Head washer nozzle

用于清洗涂覆噴嘴;

⑤Uniformer

涂覆前,Head在轉(zhuǎn)動的滾筒上預(yù)噴;


⑥Head height measurement sensor

涂覆過程中,測量并矯正,保證Head同Table水平;

⑦Panel detection sensor

通過橫向檢測,玻璃上下時,檢查有無破損;


光刻膠

組成:感光劑+酚醛樹脂+溶劑+添加劑;

光刻膠有正負之分,

正性光刻膠:光刻后的圖形與掩膜版相同圖形,保留未曝光部分。

負性光刻膠:光刻后的圖形與掩膜版相反圖形,保留曝光部分。


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