來(lái)源：EETOP 博客 作者：許歡
鏈接：http://blog.eetop.cn/?1196765
MOS 管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無(wú)論是在 IC 設(shè)計(jì)里，還是板級(jí)電路應(yīng)用上，都十分廣泛。目前尤其在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，各種結(jié)構(gòu)的 MOS 管更是發(fā)揮著不可替代的作用。作為一個(gè)基礎(chǔ)器件，往往集簡(jiǎn)單與復(fù)雜與一身，簡(jiǎn)單在于它的結(jié)構(gòu)，復(fù)雜在于基于應(yīng)用的深入考量。因此，作為硬件開(kāi)發(fā)者，想在電路設(shè)計(jì)上進(jìn)階，搞懂 MOS 管是必不可少的一步，今天來(lái)聊聊。
一、 MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
作為半導(dǎo)體器件，它的來(lái)源還是最原始的材料，摻雜半導(dǎo)體形成的 P 和 N 型物質(zhì)。
那么，在半導(dǎo)體工藝?yán)?，如何制?MOS 管的？
這就是一個(gè) NMOS 的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖，一個(gè)看起來(lái)很簡(jiǎn)單的三端元器件。具體的制造過(guò)程就像搭建積木一樣，在一定的地基（襯底）上依據(jù)設(shè)計(jì)一步步“蓋”起來(lái)。
MOS 管的符號(hào)描述為：
二、 MOS 管的工作機(jī)制
以增強(qiáng)型 MOS 管為例，我們先簡(jiǎn)單來(lái)看下 MOS 管的工作原理。
由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類(lèi)似三極管，也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)！三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過(guò)電子-空穴復(fù)合來(lái)控制CE之間的導(dǎo)通，MOS 管則利用電場(chǎng)來(lái)在柵極形成載流子溝道來(lái)溝通DS之間。
如上圖，在開(kāi)啟電壓不足時(shí)，N區(qū)和襯底P之間因?yàn)檩d流子的自然復(fù)合會(huì)形成一個(gè)中性的耗盡區(qū)。給柵極提供正向電壓后，P區(qū)的少子（電子）會(huì)在電場(chǎng)的作用下聚集到柵極氧化硅下，最后會(huì)形成一個(gè)以電子為多子的區(qū)域，叫反型層，稱(chēng)為反型因?yàn)槭窃赑型襯底區(qū)形成了一個(gè)N型溝道區(qū)。這樣DS之間就導(dǎo)通了。
下圖是一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS管開(kāi)啟模擬：
這是MOS管電流Id隨Vgs變化曲線(xiàn)，開(kāi)啟電壓為1.65V。下圖是MOS管的IDS和VGS與VDS 之間的特性曲線(xiàn)圖，類(lèi)似三極管。
下面我們先從器件結(jié)構(gòu)的角度看一下MOS管的開(kāi)啟全過(guò)程。
1、Vgs 對(duì)MOS 管的開(kāi)啟作用
一定范圍內(nèi) Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth，Vgs 越大，反型層越寬，電流越大。這個(gè)區(qū)域?yàn)?MOS 管的線(xiàn)性區(qū)（可變電阻區(qū)）。即：
Vgs 為常數(shù)時(shí)，Vds 上升，Id 近似線(xiàn)性上升，表現(xiàn)為一種電阻特性。
Vds 為常數(shù)時(shí)，Vgs 上升，Id 近似線(xiàn)性上升，表現(xiàn)出一種壓控電阻的特性。
即曲線(xiàn)左邊
2、Vds對(duì)MOS管溝道的控制
當(dāng) Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth 時(shí)，分析同上曲線(xiàn)左側(cè)，電流Id隨Vds上升而上升，為可變電阻區(qū)。
當(dāng) Vds>Vgs-Vth 后，我們可以看到因?yàn)镈S之間的電場(chǎng)開(kāi)始導(dǎo)致右側(cè)的溝道變窄，電阻變大。所以電流Id增加開(kāi)始變緩慢。當(dāng)Vds增大一定程度后，右溝道被完全夾斷了！
此時(shí)DS之間的電壓都分布在靠近D端的夾斷耗盡區(qū)，夾斷區(qū)的增大即溝道寬度W減小導(dǎo)致的電阻增大抵消了Vds對(duì)Id的正向作用，因此導(dǎo)致電流Id幾乎不再隨Vds增加而變化。此時(shí)的D端載流子是在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下掃過(guò)耗盡區(qū)達(dá)到S端！
這個(gè)區(qū)域?yàn)?MOS 管的恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)，放大區(qū)。
但是因?yàn)橛袦系勒{(diào)制效應(yīng)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度 L 有變化，所以曲線(xiàn)稍微上翹一點(diǎn)。
重點(diǎn)備注：MOS 管與三極管的工作區(qū)定義差別
三極管的飽和區(qū)：輸出電流 Ic 不隨輸入電流 Ib 變化。
MOS 管的飽和區(qū)：輸出電流 Id 不隨輸出電壓 Vds 變化。
3、 擊穿
Vgs 過(guò)大會(huì)導(dǎo)致柵極很薄的氧化層被擊穿損壞。
Vds 過(guò)大會(huì)導(dǎo)致D和襯底之間的反向PN結(jié)雪崩擊穿，大電流直接流入襯底。
三、 MOS 管的開(kāi)關(guān)過(guò)程分析
如果要進(jìn)一步了解MOS管的工作原理，剖析MOS管由截止到開(kāi)啟的全過(guò)程，必須建立一個(gè)完整的電路結(jié)構(gòu)模型，引入寄生參數(shù)，如下圖。
詳細(xì)開(kāi)啟過(guò)程為：
t0~t1 階段：柵極電流對(duì)Cgs和Cgd充電，Vgs上升到開(kāi)啟電壓Vgs(th)，此間，MOS沒(méi)有開(kāi)啟，無(wú)電流通過(guò)，即MOS管的截止區(qū)。在這個(gè)階段，顯然Vd電壓大于Vg，可以理解為電容 Cgd 上正下負(fù)。
t1~t2 階段：Vgs達(dá)到Vth后，MOS管開(kāi)始逐漸開(kāi)啟至滿(mǎn)載電流值Io，出現(xiàn)電流Ids，Ids與Vgs呈線(xiàn)性關(guān)系，這個(gè)階段是MOS管的可變電阻區(qū)，或者叫線(xiàn)性區(qū)。
t3~t4 階段：渡過(guò)米勒平臺(tái)后，即Cgd反向充電達(dá)到Vgs，Vgs繼續(xù)升高至最終電壓，這個(gè)電壓值決定的是MOS管的開(kāi)啟阻抗Ron大小。
我們可以通過(guò)仿真看下具體過(guò)程：
b: ZVS 零電壓開(kāi)關(guān)技術(shù)是可以消除米勒效應(yīng)的，即在 Vds 為 0 時(shí)開(kāi)啟溝道，在大功率應(yīng)用時(shí)較多。
c: 柵極負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)，增加設(shè)計(jì)成本。
d: 有源米勒鉗位。即在柵極增加三極管，關(guān)斷時(shí)拉低柵極電壓。
上面已經(jīng)詳細(xì)介紹了 MOS 管的工作機(jī)制，那么我們?cè)賮?lái)看 datasheet 這些參數(shù)就一目了然了。
極限值參數(shù)代表應(yīng)用時(shí)的最高范圍，功耗和散熱是高功率應(yīng)用時(shí)的重點(diǎn)。
體二極管：
在分立器件NMOS管中，S端一般襯底，所以導(dǎo)致DS之間有一個(gè)寄生二極管。
但是在集成電路內(nèi)部，S端接低電位或者高電位，不一定接襯底，所以就不存在寄生二極管。
寄生二極管具有保護(hù) MOS 管的作用，導(dǎo)出瞬間反向的大電流。
四、 MOS 管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
MOS 的驅(qū)動(dòng)是應(yīng)用設(shè)計(jì)的重點(diǎn)，接下來(lái)我們聊聊有哪些驅(qū)動(dòng)方式和特點(diǎn)。
4.1 直接驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)芯片直接輸出 PWM 波
特點(diǎn)：驅(qū)動(dòng)環(huán)路距離不能太遠(yuǎn)，否則因?yàn)榧纳姼薪档烷_(kāi)關(guān)速度和導(dǎo)致振鈴。另外，一般驅(qū)動(dòng)器也難以提供很大的驅(qū)動(dòng)電流。
4.2 推挽式驅(qū)動(dòng)
PWM 驅(qū)動(dòng)通過(guò)推挽結(jié)構(gòu)來(lái)驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O
特點(diǎn)：實(shí)現(xiàn)較小的驅(qū)動(dòng)環(huán)路和更大的驅(qū)動(dòng)電流，柵極電壓被鉗位在 Vb+Vbe 和 GND 與Vbe 之間。
4.3 柵極驅(qū)動(dòng)加速電路
并聯(lián)二極管可以分流，但是隨著電壓降低，二極管逐漸失去作用。
4.4 PNP關(guān)斷電路
特點(diǎn)：PNP 在關(guān)斷時(shí)形成短路放電，但是無(wú)法完全為 0，二極管 Don 可以鉗位防止三極管擊穿。
五、 小結(jié)
以上大概詳細(xì)介紹了MOS管這一半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件的工作原理和應(yīng)用，具體到工作中還需要的是實(shí)際測(cè)試和實(shí)驗(yàn)，特別是不斷在一些應(yīng)用中，尤其是應(yīng)用問(wèn)題中加深理解。這樣或許才能真正的把相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)融入到自己的能力中，游刃有余的解決技術(shù)問(wèn)題。搞技術(shù)嘛，和做人一樣，從小處做，往高處看。
作者其他博客部分截圖：
（復(fù)制鏈接：http://blog.eetop.cn/?1196765 電腦端打開(kāi)查看）
聯(lián)系客服
