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運(yùn)算放大器的關(guān)鍵指標(biāo)詳解一(失調(diào)與偏置)

輸入失調(diào)電壓(Offset Voltage, V O S V_{OS} VOS?

定義:

在運(yùn)放開環(huán)使用時(shí), 加載在兩個(gè)輸入端之間的直流電壓使得放大器直流輸出電壓為 0。
也可定義為當(dāng)運(yùn)放接成跟隨器且正輸入端接地時(shí),輸出存在的非 0 電壓。

優(yōu)劣范圍:
1μV 以下,屬于極優(yōu)秀的。 100μV 以下的屬于較好的。最大的有幾十mV。

理解 :

任何一個(gè)放大器,無論開環(huán)連接或者反饋連接,當(dāng)兩個(gè)輸入端都接地時(shí), 理論上輸出應(yīng)該為 0,但運(yùn)放內(nèi)部?jī)奢斎胫窡o法做到完全平衡,導(dǎo)致輸出永遠(yuǎn)不會(huì)是 0。
此時(shí)保持放大器負(fù)輸入端不變,而在正輸入端施加一個(gè)可調(diào)的直流電壓,調(diào)節(jié)它直到輸出直流電壓變?yōu)?0V,此時(shí)正輸入端施加的電壓的負(fù)值即為輸入失調(diào)電壓,用 VOS 表示。 但是,多數(shù)情況下,輸入失調(diào)電壓不分正負(fù), 生產(chǎn)廠家會(huì)以絕對(duì)值表示。
任何一個(gè)實(shí)際運(yùn)放都可理解為正端內(nèi)部串聯(lián)了一個(gè) VOS,然后進(jìn)入一個(gè)理想運(yùn)放,如圖 2-1 所示。如左圖,正端引入一個(gè)-VOS,則輸出為 0,符合標(biāo)準(zhǔn)定義。如右圖,跟隨器正端接地,實(shí)際輸出即為 VOS,也符合標(biāo)準(zhǔn)定義。


其實(shí)就是運(yùn)放兩個(gè)輸入端都接地時(shí),本來輸入端輸入電壓理論上應(yīng)該為零,輸出也應(yīng)該為零,但卻有輸出電壓,這說明輸入端即使接地還是有輸入電壓的,也就是運(yùn)放自身的輸入偏置電壓Vos,可以通過在輸入端外接一個(gè)電壓相反的直流電源來抵消Vos,使輸入端電壓真正為零,這就是調(diào)零。

后果:

當(dāng)一個(gè)放大器被設(shè)計(jì)成 AF倍閉環(huán)電壓增益(同相輸入放大增益,也稱噪聲增益) 時(shí),如果放大器的失調(diào)電壓為 VOS,則放大電路 0 輸入時(shí),輸出存在一個(gè)等于 AF*VOS的直流電平,此輸出被稱為輸出失調(diào)電壓。 閉環(huán)增益越大,則輸出失調(diào)電壓也越大。

對(duì)策:

如果被測(cè)信號(hào)包含直流量且你關(guān)心這個(gè)直流量,就必須選擇 VOS遠(yuǎn)小于被測(cè)直流量的放大器,或者通過運(yùn)放的調(diào)零措施消除這個(gè)影響。如果你僅關(guān)心被測(cè)信號(hào)中的交變成分,你可以在輸入端和輸出端增加交流耦合電路,將其消除。

調(diào)零方法

有些運(yùn)放有兩個(gè)調(diào)零端,按照數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的方法接電位器調(diào)零即可。對(duì)沒有調(diào)零端的運(yùn)放,可采用外部的輸出調(diào)零或者輸入調(diào)零,有標(biāo)準(zhǔn)電路可以參考。

失調(diào)電壓漂移(Offset Voltage Drift)

定義:

當(dāng)溫度變化、時(shí)間持續(xù)、供電電壓等自變量變化時(shí), 輸入失調(diào)電壓會(huì)發(fā)生變化。輸入失調(diào)電壓隨自變量變化的比值,稱為失調(diào)電壓漂移。

因此,有三種漂移量存在:
1)輸入失調(diào)電壓變化相對(duì)于溫度變化的比值。是指定溫度范圍內(nèi)的平均值,以 μV/°C為單位,用符號(hào) ΔVOS/ΔT 或者 dVOS/dT 表示。
2)相對(duì)于時(shí)間的比值,以 μV/MO 為單位,含義是每月變化多少微伏。沒有明確的符號(hào),通常用文字表示。 本文暫用 dVOS/dMO 表示。
3)相對(duì)于電源電壓變化的比值,以 μV/V 為單位,含義是調(diào)好的放大器,當(dāng)電源電壓發(fā)生 1V 變化,會(huì)引起失調(diào)電壓的變化。沒有明確的符號(hào),常用文字表示。 此數(shù)值在很多放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)中沒有體現(xiàn)。

優(yōu)劣范圍: 0.002μV/°C 到幾十 μV/°C。

理解:

失調(diào)電壓漂移量,與數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)注的失調(diào)電壓(或稱之為初始失調(diào)電壓) 本身有密切關(guān)系。 初始失調(diào)電壓小的,其漂移量也小
從多種放大器手冊(cè)指標(biāo)看,有以下規(guī)律:
1) 溫度變化 40~500 度可能帶來的失調(diào)電壓變化,等同于初始失調(diào)電壓。
2) 10~100 個(gè)月帶來的失調(diào)電壓變化, 等同于初始失調(diào)電壓。

因此,要衡量失調(diào)電壓漂移量,最好能和初始失調(diào)電壓進(jìn)行對(duì)比。
偏移量等效溫度 TOD=VOS/dVOS/dT,它描述溫度變化多少度會(huì)帶來一個(gè)新的失調(diào)電壓。
偏移量等效時(shí)間 MOD= VOS/dVOS/dMO,它描述持續(xù)多少個(gè)月,會(huì)帶來一個(gè)新的失調(diào)電壓。

比如,兩個(gè)不同的芯片 AD8675 和 OP177F, VOS 均為 10μV,但是溫度漂移量為AD8675 是 0.2μV/°C,而 OP177F 為 0.1μV/°C,則 TOD_AD8675=10μV/0.2μV/°C=50°C,說明50℃即可產(chǎn)生一個(gè)新的 10 μV 失調(diào),而TOD_OP177F=10μV/0.1μV/°C=100°C, 說明 100℃才會(huì)產(chǎn)生一個(gè)新的 10 μV 失調(diào),后者顯然比前者好些。

舉例說明,一個(gè)失調(diào)電壓為 100μV 的運(yùn)放,它的溫度漂移為 2μV/°C,時(shí)間漂移是5μV/MO,你在某一天用電位器完成了調(diào)零。那么就在當(dāng)天,你用加熱器提高運(yùn)放的工作溫度 10°C,就會(huì)出現(xiàn)新的 20μV 的失調(diào),提高 50°C,就會(huì)出現(xiàn) 100μV 的失調(diào)電壓,等于你前面的調(diào)零完全作廢了。如果你很善良,不去這么搞溫度破壞,這個(gè)電路也會(huì)隨著時(shí)間的流逝產(chǎn)生新的失調(diào),大約 20 個(gè)月后,就可能出現(xiàn) 100μV 的失調(diào),你又得再次調(diào)零。

后果:

很嚴(yán)重。因?yàn)樗荒鼙徽{(diào)零端調(diào)零,即便調(diào)零完成,它還會(huì)帶來新的失調(diào)。在高精度、高穩(wěn)定性要求的場(chǎng)合,選擇漂移系數(shù)較小的放大器,比失調(diào)電壓大小更為重要。

對(duì)策:

第一, 就是選擇高穩(wěn)定性,也就是上述漂移系數(shù)較小的運(yùn)放。
第二,有些運(yùn)放具有自歸零技術(shù),它能不斷地測(cè)量失調(diào)并在處理信號(hào)過程中把當(dāng)前失調(diào)電壓減掉。這就可
以抑制溫度變化、時(shí)間流逝、電源電壓變化引起的新的失調(diào)。這很好。但是這種運(yùn)放內(nèi)部都有高頻的切換動(dòng)作,會(huì)產(chǎn)生該頻率噪聲,使用時(shí)應(yīng)該注意。

輸入偏置電流(Input bias current, I B I_B IB?

定義:

當(dāng)輸出維持在規(guī)定的電平時(shí),兩個(gè)輸入端流進(jìn)電流的平均值。
優(yōu)劣范圍:
60fA~100μA。數(shù)量級(jí)相差巨大,這取決于運(yùn)放輸入端結(jié)構(gòu), FET 輸入的會(huì)很小。

理解:

運(yùn)放的兩個(gè)輸入端并不是絕對(duì)高阻的, 本項(xiàng)指標(biāo)主要描述輸入端流進(jìn)電流的數(shù)量級(jí)。 比如某個(gè)運(yùn)放在接成跟隨器且正輸入端接地情況下,正輸入端存在流進(jìn)電流1.3nA,即圖 2-2 中 IB1=1.3nA,負(fù)輸入端存在流進(jìn)電流 0.6nA,即圖 2-2 中 IB2=0.6nA,那么該運(yùn)放的輸入偏置電流 IIB 即為 0.95nA。


后果:

第一,當(dāng)用放大器接成跨阻放大測(cè)量外部微小電流時(shí),過大的輸入偏置電流會(huì)分掉被測(cè)電流,使測(cè)量失準(zhǔn)。
第二,當(dāng)放大器輸入端通過一個(gè)電阻接地時(shí),這個(gè)電流將在電阻上產(chǎn)生不期望的輸入電壓。

對(duì)策:
為避免輸入偏置電流對(duì)放大電路的影響,最主要的措施是選擇 IB較小的放大器。有很多 FET 輸入運(yùn)放可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)要求。 但是需要注意,高速運(yùn)放且 IB 較小的運(yùn)放比較難選擇,數(shù)量極少。

輸入失調(diào)電流(Input offset current, I O S I_{OS} IOS?

定義:

當(dāng)輸出維持在規(guī)定的電平時(shí),兩個(gè)輸入端流進(jìn)電流的差值
優(yōu)劣范圍: 20fA~100μA。數(shù)量級(jí)相差巨大,這取決于運(yùn)放輸入端結(jié)構(gòu), FET 輸入的會(huì)
很小。

理解:

需要注意的是,這是數(shù)值的大小一般與該芯片的偏置電流相當(dāng)。這很像一個(gè)班級(jí)的考試分?jǐn)?shù),平均大于 70 分,最大值與最小值差值大約也是 70 分( 100 分-30 分)。我們很少見到奇怪的現(xiàn)象:偏置電流是失調(diào)電流的 10 倍,說明其一致性太好了。

后果:

失調(diào)電流的存在,說明兩個(gè)輸入端客觀存在的電流有差異, 后面將要所述的,用外部電阻實(shí)現(xiàn)匹配抵消偏置電流影響的措施,在此就失效了。

關(guān)于失調(diào)和偏置的總結(jié)

這里涉及到三個(gè)關(guān)鍵指標(biāo),輸入失調(diào)電壓 VOS、輸入偏置電流 IB、輸入失調(diào)電流 IOS。
理論上都應(yīng)該為 0,但是實(shí)際上總是不為 0,影響放大器的正常工作。它們的影響主要表現(xiàn)在兩個(gè)方面:
第一,在放大器 0 輸入電壓時(shí),導(dǎo)致輸出不為 0,這來自于輸入失調(diào)電壓,以及某些情況下偏置電流和失調(diào)電流。
第二,在電流檢測(cè)時(shí),影響檢測(cè)精度,這主要來自于輸入偏置電流

0 輸入時(shí)怎么計(jì)算放大器的實(shí)際輸出?

放大電路的輸入電壓為 0 時(shí),導(dǎo)致輸出不為 0 的原因一般有三個(gè),輸入失調(diào)電壓VOS,輸入偏置電流 IB,輸入失調(diào)電流 IOS,其中后兩個(gè)的影響依賴于放大電路外部的電阻。


規(guī)定電路中運(yùn)放正端外部電位 U+,負(fù)端電位 U-,從正端流進(jìn)電流為 IB1,負(fù)端流進(jìn)電流為 IB2,則輸入偏置電流 IB 和輸入失調(diào)電流 IOS 分別為:

根據(jù)上述定義可以得到(上圖電流方向自己定義也可以得到相同的結(jié)果):

根據(jù)上述方程組, 可以解得:

其中, GN被稱為噪聲增益,在噪聲計(jì)算、輸出失調(diào)計(jì)算中應(yīng)用很廣泛。其含義如下:
對(duì)一個(gè)放大電路,如果是同相比例器,其電壓增益為:

對(duì)一個(gè)放大電路,如果是反相比例器,其電壓增益為:

但是,這兩個(gè)電路在輸入端接地時(shí),是完全一樣的。定義它們的同相輸入電壓增益為噪聲增益。
之所以定義同相放大器增益為噪聲增益,原因是,噪聲源、失調(diào)電壓源在運(yùn)放分析中都被定義在了同相輸入端,它們確實(shí)會(huì)被放大1 + RF/R2倍。

從計(jì)算得到的輸出電壓的公式可以看出**,當(dāng)輸入端接地時(shí),實(shí)際的輸出與輸入失調(diào)電壓 VOS 有關(guān),與輸入電流 IB1、 IB2 有關(guān),與外接的電阻有關(guān)**。 能得出如下結(jié)論:
1) 如果 IB1=IB2,那么選擇 R1=R2//RF,可以使電流形成的失調(diào)電壓項(xiàng)會(huì)消失。這就是教科書上教給大家的電阻匹配方法。但這種方法的根基并不牢靠, IB1=IB2 可能性不大。
2) 外部電阻越大,電流引起的輸出失調(diào)越明顯。盡管某些運(yùn)放輸入偏置電流很小,只要外部電阻足夠大,總能讓電流項(xiàng)在輸出失調(diào)中顯現(xiàn)作用。

易受影響的電路

失調(diào)電壓和偏置電流以一種直流形式存在,最終結(jié)果是在運(yùn)放的**輸出端出現(xiàn)不該有的直流分量****,簡(jiǎn)稱它們?yōu)椤爸绷饕馔狻?br> 有以下結(jié)論需要牢記:

  • 在多數(shù)交流耦合電路中,無需考慮這些“直流意外”的存在。
  • 單級(jí)增益較大的交流耦合電路,需要注意“直流意外”會(huì)降低輸出端的動(dòng)態(tài)范圍。
  • 在直接耦合電路中,特別是對(duì)直流精度要求較高的電路中——比如電子稱,需要格外注意這些“直流意外”。


圖 2-5 中(a)圖是一個(gè)電流檢測(cè)電路。
理論上 u o u_o uo?= ? i I i_I iI? R F R_F RF?, 而實(shí)際得到的輸出是:

后兩項(xiàng)即為直流意外。要想讓直流意外遠(yuǎn)小于理論輸出,必須保證:

  1. I I B ? I_{IB-} IIB?? ? i I i_I iI?, 即選用輸入偏置電流非常小的運(yùn)放,這取決于被測(cè)電流最小分辨率。
  2. V O S V_{OS} VOS? ? i I i_I iI? R F R_F RF?, 即選用失調(diào)電壓很小的運(yùn)放,這也取決于被測(cè)電流最小分辨率以及電阻的選擇。
  3. 為保證寬溫度范圍的正常工作,還需要考慮“直流意外”隨溫度的變化。

圖 2-5(b)是一個(gè)交流耦合放大電路,多用于高頻放大。 多數(shù)情況下,因前級(jí)后級(jí)均有電容隔直,直流意外似乎不會(huì)成為什么問題,這容易使得設(shè)計(jì)者在此放松警惕。但某些不細(xì)致的設(shè)計(jì)會(huì)使得“直流意外”影響正常工作。
(為了方便閱讀,把前面推導(dǎo)公式復(fù)習(xí)下)

1) 當(dāng) RF 遠(yuǎn)大于 R1 時(shí),設(shè)計(jì)者原本希望實(shí)現(xiàn)單級(jí)較高增益時(shí),直流意外將被放大GN 倍,這使得 G N G_N GN? V O S V_{OS} VOS? 會(huì)明顯偏離 0 點(diǎn),會(huì)降低輸出信號(hào)擺幅,如圖 2-5(b)右下角所示。多數(shù)高頻放大器具有幾個(gè) mV 的輸入失調(diào)電壓, 100 倍放大即可產(chǎn)生幾百 mV 的偏移,導(dǎo)致信號(hào)被削峰,交流信號(hào)波形改變,這是不可忽視的。

2) 為了降低下限截止頻率,設(shè)計(jì)者可能無休止地增大電阻 R,這使得偏置電流對(duì)直流意外的貢獻(xiàn)占據(jù)主導(dǎo)地位。比如 R=5k,運(yùn)放的偏置電流 IIB=50μA,那么正輸入端在靜默時(shí)就存在一個(gè) 0.25V 的直流電壓,這是一個(gè)非常嚴(yán)重的情況,
它已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了輸入失調(diào)電壓幾個(gè) mV 的范疇。
因此,面對(duì)輸入偏置電流較大的運(yùn)放(幾個(gè) μA 到幾百個(gè) μA),謹(jǐn)慎選擇外部電阻是非常重要的。
圖 2-5?是反相比例器,同樣也會(huì)受到“直流意外”的影響。

如何克服它們的影響

克服直流意外對(duì)電路的影響, 有以下方法。

1) 選擇合適的運(yùn)放。

這是最為靠譜的方法。一般來說,我們的設(shè)計(jì)不會(huì)逃脫前人常見的設(shè)計(jì),我們遇到的問題前人也遇到過。芯片制造商也會(huì)針對(duì)這些問題,生產(chǎn)出合適的運(yùn)放。我們遇到的問題,沒有一款合適的運(yùn)放可以選擇,這種情況很少發(fā)生,除非我們站在科學(xué)的最前沿。多數(shù)情況下,合適的運(yùn)放就在那兒,只是看你能否找到。因此,從生產(chǎn)商處下載具有全部參數(shù)的表格,按照初選、細(xì)看、找應(yīng)用實(shí)例的步驟,一般都能找到合適的運(yùn)放。

2) 選擇合適的外部電阻。

即便選擇了合適的運(yùn)放,沒有合適的外部電阻也是白搭。外部電阻對(duì)電路性能的影響可以分為兩種:
第一,選擇最小的電阻以降低電流對(duì)直流意外的貢獻(xiàn);
第二,調(diào)配電阻值以抵消直流意外。

運(yùn)放電路外部電阻的選擇
1) 高速運(yùn)放電路,特別是電流反饋型運(yùn)放,其外部電阻選擇最好遵循數(shù)據(jù)手冊(cè)建議,一般都比較小,1kΩ 以下。實(shí)在找不到的情況下,以盡量減小電阻為宜。
2) 外部電阻越大,則工作時(shí)消耗功耗越小,發(fā)熱也越輕,對(duì)運(yùn)放輸出電流的要求也越低。這是在多種選擇中選擇大電阻的唯一理由。(流壓轉(zhuǎn)換電路中,面對(duì)微弱電流必須選擇很大的電阻,不屬此類)。
3) 外部電阻越大,則運(yùn)放偏置電流對(duì)輸出失調(diào)的貢獻(xiàn)越大。
4) 外部電阻越大,則電阻本身產(chǎn)生的噪聲越大。 常溫下,電阻的噪聲密度可以用 0.13√RnV/√Hz 估算,
一個(gè) 10kΩ 的電阻,其噪聲密度約為 13nV/√Hz,與一個(gè)中等噪聲的運(yùn)放等效輸入噪聲密度相當(dāng)。 而R
一個(gè) 100Ω 電阻,噪聲密度約為 1.3nV/√Hz,等同于一個(gè)相當(dāng)?shù)驮肼暤倪\(yùn)放。
5) 外部電阻越大,附近的雜散電容越不可忽視,它通常會(huì)導(dǎo)致上限截止頻率降低。
6) 外部電阻越大,則電路板造成的漏電阻越不可忽視。
7) 電阻選擇,一般沒有唯一的結(jié)論。

3) 調(diào)零和控溫

這是萬般無奈的方法。 很多運(yùn)放具有調(diào)零管腳,可供用戶通過電位器或者調(diào)配電阻實(shí)施調(diào)零。也有很多運(yùn)放不具備這個(gè)管腳,可以采用外部增加電路實(shí)現(xiàn)調(diào)零,可以輸入端調(diào)零,也可以輸出端調(diào)零。很多數(shù)據(jù)手冊(cè)上給出了芯片的調(diào)零方法。之所以說這種方法是萬般無奈的方法,是因?yàn)檎{(diào)零存在以下問題:

  • 在某些溫度下實(shí)現(xiàn)的調(diào)零,當(dāng)溫度變化后,它又不是零了。或者過了幾年,時(shí)漂發(fā)揮作用了。
  • 手工調(diào)零不適合于大規(guī)模生產(chǎn)。
  • 電位器存在于電路中是一個(gè)可靠性隱患。

整理自《你好,放大器》

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