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2008年光伏電池組件新性能的發(fā)展
光伏系統(tǒng) 2008-06-24 14:38:40 閱讀166 評論0 字號:大中小
天津光伏技術試驗場地      于培諾
2008-5-12
對已經(jīng)進入了晶體硅或非晶硅光伏電池和組件市場的公司,為了維持和增大自己的市場份額,第一要進一步了解這種產(chǎn)品的性能和發(fā)展趨勢,以便判斷自己主觀上駕馭它向前發(fā)展的能力,例如你能否把現(xiàn)有的低功率效率組件開發(fā)成高比發(fā)電能量的產(chǎn)品;第二要考慮客觀形勢,即類似這種光伏電池和組件產(chǎn)品已有的市場份額。只有對自己產(chǎn)品有深刻的理解才能創(chuàng)新,在這里提出組件的(天津)能量效率概念可引伸出逆變器的(天津)能量效率和光伏玻璃的(天津)能量透過率概念。
前言:
在2008年市場調查中,有1110個品種組件,其中469種是單晶硅,537種是多晶硅,而薄膜電池組件只有86種;其中共有四種薄膜電池:2007年調查CIGS 效率最高,今年CdTe效率最高,而a-Si效率最低,但比較最成熟和成本最低的是a-Si ,它除了有長期應用的歷史和低成本的潛力外,它還可能向微晶硅甚至多晶硅轉化。玻璃襯底晶硅薄膜電池CSG是最近出現(xiàn)的產(chǎn)品。
薄膜電池另一個發(fā)展的分支是,襯底材料正向柔性聚合物方面擴展。
歐洲似乎更喜歡能充分利用空間的多晶硅組件,而從能量和經(jīng)濟觀點考慮,薄膜電池組件更有發(fā)展?jié)摿Γ貏e是在發(fā)展中國家和熱帶地區(qū),在天津試驗場地初步試驗結果表明,非晶硅組件的比發(fā)電能量,對晶硅組件而言,隨氣候變暖而增加。
薄膜電池的新性能——比發(fā)電能量kWh/kWp*
早在2000年荷蘭的ECN就提出了評估光伏組件新性能——比發(fā)電能量的概念,他們在荷蘭共測試了(在荷蘭市場上買的)九塊不同的組件:晶體硅組件——BP Solar,Kyocera , Siemens Solar , ASE 和Shell Solar ; 非晶硅組件——BPSolar , United Solar 和 Free Energy Europe ; CIS組件——Siemens Solar 。
 
公     司
 
電池種類
 
組件效率
 
比發(fā)電能量
kWh / kWp
 
BP Solar
 
Mc
 
13.5%
 
977
 
Siemens
 
Mc
 
9.4%
 
930
 
Kyocera
 
Pc
 
12.3%
 
964
 
ASE
 
Pc
 
12.9%
 
966
 
Shell
 
Pc
 
10.3%
 
961
 
Uni—Solar
 
a-Si
 
6.1%
 
1164
 
FreeEnergy
 
a-Si
 
4.1%
 
1084
 
BP Solar
 
a-Si
 
5.3%
 
1001
 
Siemens
 
CIGS
 
12.9%
 
963
表中示出,單晶硅(mc)、多晶硅(pc)非晶硅(a-Si)和銅銦鍺錫(CIGS)電池組件,它們的年直流發(fā)電量與組件功率之比,即比發(fā)電能量kWh/kWp
市場中的薄膜太陽電池組件的一般性能
 
組件公司
 
電池材料
組件尺寸cm
 
功率W /
VⅹA
 
效率和FF
%
 
容 差
%
 
NOCT
ºC
 
功率溫度系數(shù)
 
質量保證, 安全性
 
WürthSolar(德國)
 
CIS
121ⅹ61
 
80
120ⅹ0.67
 
11.0%;0.69
 
±10
 
47
 
-0.36%
 
 
Sulfurcell
(德國)
 
CIS
126ⅹ66
 
60
41.5ⅹ1.5
 
7.3 %; 0.67
 
±5
 
 
-0.30%
 
 
Axitec
(德國)
 
CIS
126ⅹ66
 
60
41.5ⅹ1.45
 
7.2 %; 0.67
 
±5
 
 
-0.30%
-
 
 
Antec
(德國)
 
CdTe
120ⅹ60
 
50
56ⅹ0.89
 
6.9 %; 0.53
 
±10
 
45
 
-0.18%
-0.18%
 
II 級
 
First Solar(美國)
 
CdTe
120ⅹ60
 
80
71.3ⅹ1.12
 
11.1%;0.69
 
±5
 
45
 
-0.25%
 
II 級,IEC61646
 
Kaneka
(日本)
 
a-Si(1J)
99ⅹ96
 
60
67.0ⅹ0.90
 
6.3 % ; 0.55
 
+10 ,-5%
 
 
 
II級,IEC61646
 
Kaneka
(日本)
 
a-Si(1J)
198ⅹ96
 
120
67.0ⅹ1.80
 
6.3%;0.55
 
+10 ,-5%
 
 
 
IEC61646
 
Bangkok Solar(泰國)
 
a-Si(2 J)
125ⅹ64
 
40
44.8ⅹ0.90
 
5.1%;0.56
 
±10 %
 
44
 
-0.20%
 
II 級,IEC61646
 
EPV
(美國)
 
a-Si(2J)
125ⅹ64
 
42
45.0ⅹ0.93
 
5.5 % ; 0.59
 
±5 %
 
42
 
-0.19%
 
UL1703,IEC61646, IEC61730,II級,
 
Schott
(德國)
 
a-Si(2J)
131ⅹ111
 
86
17.2ⅹ5.0
 
5.9%;0.62
 
±5
 
 
-0.20%
 
 
Sharp
(日本)
 
a-Si / µ-Si
113ⅹ93
 
90
49.3ⅹ1.83
 
8.5% ;0.65
 
±10%
 
 
-0.24%
 
IEC61646, IEC61730
 
Sinonar
(臺灣)
 
a-Si(1J)
121ⅹ102
 
60
68.0ⅹ0.88
 
4.9%; 0.58
 
±10%
 
 
 
 
Uni-Solar(美國)
 
a-Si (3J)
501ⅹ39
 
124
30.0ⅹ4.1
 
6.3%;0.58
 
±5%
 
46
 
-0.21%
 
IEC61646
 
CSG Solar
(德國)
 
CSG
125ⅹ110
 
105
63.0ⅹ1.6
 
7.6 %; 0.70
 
± 5
 
41
 
-0.69 %
 
II 級,IEC61646
IEC61730
由上表看出,效率最高的是CIS電池,但沒有一家公司通過質量保證和安全試驗;CdTe
電池效率也很高而且First Solar公司還通過了質量保證和安全試驗;最成熟的是EPV的非晶硅電池通過了所有的質量保證和安全試驗。電池面積(玻璃襯底)最大的是Schott,Uni-Solar是柔性薄不銹鋼帶作襯底,面積可任意大。Sharp公司的雙結(2J)非晶硅/微晶硅已商業(yè)化生產(chǎn),三結(3J)的正在試驗。
注解:
CIS---銅銦硒薄膜電池;
CdTe-----碲化鎘薄膜電池;
a-Si----非晶硅薄膜電池;
a-Si /µ-Si----非晶硅/微晶硅薄膜電池
(1J),(2J)和(3J)------1個結,2個結和3個結的非晶硅薄膜電池;
CSG-----玻璃襯底的晶體硅薄膜電池;
組件池寸(面積)------如,125ⅹ110 cm;
功率W/VⅹA-----如組件峰值功率為105W=63.0Vⅹ1.6A;
效率和FF% -------效率=組件峰值功率/ 組件池面積,
FF= 組件峰值功率W/ 組件開路電壓Vⅹ短路電流A;
容 差 % -------組件標稱功率和實際功率的偏差;
NOCT ºC --------組件在晴天陽光下電池板的溫度 ºC ;
功率溫度系數(shù)%-------組件溫度每升高一度,它的峰值功率下降幅度與原功率之比;
質量保證和安全———通過IEC質量考核試驗并通過安全等級試驗;
市場中的高效光伏組件
在世界范圍內調查組性能比較高(效率大于15%)的產(chǎn)品和其公司:
 
組件公司
 
材料
 
功率W
 
效率和FF
 
容 差
%
 
NOCT
ºC
 
功率溫度系數(shù)
 
質量保證, 安全性
 
Anji Dasol
 
單晶
 
100
 
15.8 %;0.72
 
±5
 
 
 
 
BP Solar
(西班牙)
 
LGBC
 
190
 
15.1 %;0.77
 
+2.5; -0
 
47
 
-0.5 %
 
UL1703,IEC61215
 
Global Service
(意大利)
 
單晶
 
220
 
15.3%; 0.75
 
±3
 
45
 
-0.44%
 
UL1703,IEC61215
 
GSS
(德國)
 
單晶
 
250
 
15.7 %; 0.76
 
±5
 
 
-0.51%
 
UL1703,IEC61215
 
Pevafersa
 
多晶
 
250
 
15.2 %; 0.74
 
+3;-2
 
47
 
-0.43%
 
UL1703,IEC61215
 
Sanyo(日本)
 
HIT
 
210
 
16.7 %; 0.74
 
+10;-5
 
 
-0.30%
 
 
SunPower
(美國)
 
單晶
 
315
 
19.3 % ; 0.79
 
±5
 
45
 
-0.38%
 
UL1703,IEC61215
市場中的晶體硅組件年比發(fā)電能量kWh/kWp
 
公    司
 
型      號
 
功    率
Wp
 
效   率
%
 
年比發(fā)電能量
kWh/ kWp
 
Photowatt(法)
 
PW 1650
 
165
 
12.3-13.1
 
1,022
 
SolarWorld(德)
 
SW210 Poly
 
210
 
12.5
 
1,013
 
Shell Solar(荷)
 
SQ 150-C
 
 
 
994
 
BP Solar(英)
 
BP 7185
 
185
 
14.7
 
984
 
Sanyo(日)
 
HIP-J54BE2
 
 
 
981
 
Solar-Fabrik(德)
 
SF 145A
 
145
 
 
958
 
Isofoton(西)
 
1-110/24
 
 
 
953
 
Kyocera(日)
 
KC170GT-2
 
170
 
13.7
 
953
 
Sunways(德)
 
MHH Plus 190
 
 
 
952
 
Sharp(日)
 
NT-RSE3E
 
175
 
13.5
 
921
注解:組件年比發(fā)電能量是組件年發(fā)電能量kWh與組件功率(折合1kW)之比,是在2007年德國測試的,試驗所用的組件型號,在2007和2008年市場調查中沒有的,功率和效率數(shù)據(jù)就空白;
天津光伏技術試驗場地 測出的
1. 2007年45W/40W非晶硅組件和106W多晶硅組件的比發(fā)電能量
 
2007年
月  份
 
多晶硅組件(106W)
發(fā)電能量 Wh
 
非晶硅組件(45/40 W)
發(fā)電能量 Wh
 
多晶硅組件(106W)比發(fā)電能量 Wh/Wp
 
非晶硅組件(45 /40W)比發(fā)電能量 Wh/Wp
 
非晶硅組件比晶硅組件每瓦多發(fā)電量    % /Wp
 
7
 
8523.3
 
3831.01
 
80.4
 
85.1/ 95.8
 
5.8 / 19.2
 
8
 
10934.8
 
5195.18
 
103.2
 
115.5/ 129.9
 
12 / 25.9
 
9
 
10342
 
4529.71
 
97.6
 
100.7/ 113.2
 
3.2 / 16
 
10
 
8685.03
 
3633.95
 
81.9
 
80.8/ 90.9
 
-1.3 / 11
 
總  計
 
38485.13
 
17189.85
 
363.1
 
382/ 429.8
 
5.2 / 18.4
在天津光伏技術試驗場地**測出的晶體硅和非晶硅比發(fā)電能量數(shù)據(jù)是四個月的累積量,為和德國的數(shù)據(jù)比較起見,都折合到一年的發(fā)電能量:
非晶硅---(17189.85/4)ⅹ12= 51569.55 Wh, 年比發(fā)電能量:1146—1289 kWh/kWp;
多晶硅---(38485.13/4)ⅹ12= 115455.39 Wh, 年比發(fā)電能量:1089.2  kWh/kWp;
注意,不同地域測出的發(fā)電能量不同。
2.非晶硅組件(40W)的天津能量效率
天津能量效率定義為:在天津一定取向和傾角的組件每天發(fā)出電能量kWh與投射到組件表面上的太陽輻射量kWh之比;下圖為2007年7月初到10月底標稱40W非晶組件輸出能量與投射到該組件表面上的太陽輻射量的關系,直線的斜率即該組件的天津能量效率
3. 非晶硅組件(80W)與多晶硅組件(106W)日發(fā)電能量kWh之比 % 隨日期(2007-12-5到2008-5-14)的變化
*):組件比發(fā)電能量kWh / kWp——
如果 組件1和組件2,  比發(fā)電能量1>比發(fā)電能量2;   即 kWh1/Wp1>kWh2/Wp2
則,發(fā)電能量1/ 發(fā)電能量2 >額定功率1/ 額定功率2; 即 kWh1/kWh2>Wp1/Wp2
組件1的標稱功率和組件2的標稱功率之比;即 Pm1 / Pm2=(40W+40W)/106W= 0.75
結束語:光伏電池(組件)發(fā)展空間
1.  晶體硅—區(qū)分硅片質量和制結工藝,制結和接觸工藝,背場和背反射效果。封裝材料和技術問題的邊界以及新概念組件,結果要求FF>0.75 ,kWh / kWp >1000 ;
2.  非晶硅—區(qū)分不同類型導電玻璃和沉積工藝,激光刻劃和背鋁接觸問題的邊界,各分割后單電池I-V差別的消除方法,背反射的效應以及光和熱老化效果,結果要求FF>0.65 ,kWh / kWp >1100 ;
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