由于真空鍍膜領(lǐng)域的特殊性，鍍膜工藝主要通過設(shè)備來實(shí)現(xiàn)，由于真空鍍膜設(shè)備的研制涉及真空技術(shù)、薄膜技術(shù)、低溫等離子體技術(shù)、機(jī)械、電氣控制以及真空鍍膜系統(tǒng)集成等多門學(xué)科，技術(shù)難度大，行業(yè)進(jìn)入技術(shù)門檻高，此外還受技術(shù)、資金、人力等因素的限制，因此行業(yè)潛在競(jìng)爭(zhēng)者較少。大面積多層光學(xué)薄膜制備技術(shù)包括大面積膜層性能的均勻性和各膜層的厚度的精確控制。多層膜沉積技術(shù)的關(guān)鍵在于精確控制各膜層的厚度及其均勻性，在線膜厚檢測(cè)系統(tǒng)可以保證精確的膜層厚度，得到所需的膜系性能。各膜層的沉積狀態(tài)穩(wěn)定，且各沉積過程互不干擾。多層膜沉積技術(shù)涉及到氧化物沉積技術(shù)、膜層均勻性和穩(wěn)定性等影響產(chǎn)品質(zhì)量好壞的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
20世紀(jì)80年代末，中國(guó)誕生了第一條TN (twisted nematlc，扭曲向列型)-LCD用ITO 連續(xù)鍍膜生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線采用的工藝路線是將銦錫合金材料利用直流磁控濺射的原理沉積到基片的表面，并進(jìn)行高溫氧化處理，將銦錫合金薄膜轉(zhuǎn)換成所需的ITO薄膜。這種生產(chǎn)線的特點(diǎn)是設(shè)備的產(chǎn)能較低，質(zhì)量較差，工藝調(diào)節(jié)復(fù)雜。
20世紀(jì)90年代中期，隨著國(guó)內(nèi)LCD (液晶顯示) 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對(duì)ITO產(chǎn)品的需求量增大的同時(shí)，對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量有了新的要求，因此出現(xiàn)了第二代ITO鍍膜生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線不僅產(chǎn)量比第一代生產(chǎn)線有了大幅度的提升，同時(shí)由于直接采用ITO 陶瓷靶材沉積ITO 薄膜，并兼容了射頻磁控濺射沉積SiO2 薄膜的工藝，使該生產(chǎn)線無論從產(chǎn)品的質(zhì)量上、還是工藝可控性等方面與第一代生產(chǎn)線相比均有了質(zhì)的飛躍。
1999年，隨著中頻反應(yīng)磁控濺射沉積SiO2薄膜工藝的成功，有效地解決了射頻磁控濺射沉積Sio2薄膜的沉積速率慢影響生產(chǎn)線的產(chǎn)能和設(shè)備的利用率等一系列問題，同時(shí)出現(xiàn)了第三代大型高檔ITO薄膜生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線成功應(yīng)用了中頻反應(yīng)濺射SiO2薄膜的工藝、采用全分子泵無油真空系統(tǒng)、獨(dú)立的全自動(dòng)小車回架機(jī)構(gòu)。該生產(chǎn)線具備生產(chǎn)中高檔STN(super twisted nematic ，超扭曲向列型)-LCD 用ITO 薄膜材料的能力。
隨著反射式LCD，增透式LCD，LCOS （liquid crystalon silicon，屬于新型的反射式micro LCD 投影技術(shù)) 投影機(jī)背投電視等顯示器件的發(fā)展，對(duì)ITO 薄膜產(chǎn)品提出了新的要求，SiO2/ITO兩層膜結(jié)構(gòu)的ITO薄膜材料滿足不了使用的需要，而必須采用多層復(fù)合膜系以達(dá)到產(chǎn)品的高反射性或高透過率等光學(xué)性能要求。深圳豪威公司推出了第四代大型多層薄膜生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線由15個(gè)真空室組成，采用全分子泵無油真空系統(tǒng)、使用了RF (射頻) /MF (中頻) /DC(直流) 三種磁控濺射工藝、通過PEM (等離子發(fā)射譜監(jiān)控) /PCV(壓電控制) 進(jìn)行工藝氣體的控制。
隨著PDA、電子書等觸摸式輸入電子產(chǎn)品的悄然興起，相應(yīng)材料的制成設(shè)備也應(yīng)運(yùn)而生。由于觸摸式產(chǎn)品工作原理的特殊性，其所需的ITO薄膜必須是在柔性材料上制成，薄膜的沉積溫度不能太高(小于120攝氏度)，同時(shí)要求ITO膜層較薄、面電阻高而且均勻，所以對(duì)ITO薄膜的沉積工藝提出了嚴(yán)格的要求。
隨著有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED) 以及其他顯示器件的發(fā)展，對(duì)ITO 薄膜的制成工藝和設(shè)備將會(huì)有更新、更高的要求，同時(shí)也有力地推動(dòng)了ITO薄膜制成設(shè)備的發(fā)展，因此，ITO薄膜濺射裝置將會(huì)有一個(gè)更為廣闊的發(fā)展前景。
濺射法制備透明導(dǎo)電膜最廣泛應(yīng)用的工藝方法，主要包括直流、交流、射頻的反應(yīng)式和非反應(yīng)式濺射，以及最近幾年發(fā)展起來的磁控濺射和離子束濺射。關(guān)于濺射方法制備透明導(dǎo)電膜的報(bào)道很多，尤其是制備ITO和AZO，是目前工業(yè)生產(chǎn)的主流鍍膜方式。國(guó)內(nèi)ITO 和AZO薄膜多采用這種薄膜沉積方式。平面磁控濺射技術(shù)的工藝控制性好、技術(shù)成熟、可靠性高，并可大面積均勻成膜，因此，該工藝應(yīng)用最為廣泛，國(guó)際上工業(yè)化生產(chǎn)ITO透明導(dǎo)電薄膜大多采用此工藝。
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