芯片的生產(chǎn)制造也是以客戶為中心，下圖是芯片生產(chǎn)制造簡(jiǎn)化流程。
芯片生產(chǎn)制造簡(jiǎn)化流程
今天，我來介紹一下芯片行業(yè)中幾個(gè)關(guān)鍵的術(shù)語：wafer,die,cell的概念與區(qū)別。
wafer，就是大家說的晶圓，晶圓的成分是硅，硅是由石英沙提煉出來的，將其純化制成硅晶棒，將其切片就是芯片制作需要的晶圓。目前業(yè)界所謂的6英寸，12英寸還是18英寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡(jiǎn)稱，只不過這個(gè)寸是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為英寸晶圓，目前國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。
經(jīng)過光刻，參加雜質(zhì)，晶圓上形成點(diǎn)陣狀晶粒，晶粒叫做die，如圖所示。用針法測(cè)試了各晶粒的電學(xué)性能。一般來說，每個(gè)芯片都有大量的晶粒，組織一次 pin 測(cè)試模式是一個(gè)非常復(fù)雜的過程，這就要求盡可能批量生產(chǎn)相同規(guī)格型號(hào)的芯片。數(shù)量越大，相對(duì)成本就越低，這也是主流芯片設(shè)備成本低的一個(gè)因素。
wafer 上點(diǎn)陣晶粒的die
將測(cè)試合格的die切割下來，做封裝，如圖所示。
die劃下封裝成芯片
這邊封裝有一個(gè)重要概念：?jiǎn)畏?，合封?/p>
單封：一個(gè)封裝芯片中只包含一個(gè)Die。合封：一個(gè)封裝芯片中有兩個(gè)或兩個(gè)以上Die。
現(xiàn)在，功能復(fù)雜的SOC大多都采用合封，合封技術(shù)相對(duì)于單封技術(shù)減少了Die之間的連接線長(zhǎng)度，具有更小的線延遲。從時(shí)序的角度來看，減少output delay以及input delay，減少latency，有利于時(shí)序收斂。合封減少了芯片面積，但是，合封技術(shù)對(duì)封裝工藝提出了更高的要求，同時(shí)，對(duì)芯片的散熱提出了更高的要求。
品質(zhì)合格的die切割下去后，原來的晶圓成了下圖的樣子，殘余的die是品質(zhì)不合格的。
晶圓上不合格的die
cell在集成電路中的解釋為“單元”，比die還要更小級(jí)別，通常有這么一個(gè)關(guān)系：
wafer > die > cell
把die進(jìn)一步劃分為多個(gè)cell，即功能單元，比如IO單元、電源管理單元等。
作為從事芯片驗(yàn)證的工程師，我責(zé)任與義務(wù)開始芯片行業(yè)知識(shí)科普與學(xué)習(xí)，與條友們一同學(xué)習(xí)進(jìn)步。
聯(lián)系客服
