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科學(xué)家創(chuàng)造新型人工突觸,或?qū)⒂糜谙噙B大腦



一支由斯坦福大學(xué)和加州利弗莫爾桑迪亞國家實(shí)驗(yàn)室研究人員組成的研究團(tuán)隊(duì),近日創(chuàng)造了一種新型“人工突觸”,這一具有前瞻性的新發(fā)現(xiàn)有可能在不遠(yuǎn)的將來被用于制造可以直接與大腦相連的柔性電路。


這一新型設(shè)備——有機(jī)晶體管,被研究團(tuán)隊(duì)稱為“電化學(xué)神經(jīng)態(tài)有機(jī)器件(ENODe)”。這一設(shè)備如同記憶電阻器和相變存儲器,未來將被用于打造可以與大腦比肩的“計(jì)算性能型”芯片,而其所需的能量消耗與當(dāng)今最為先進(jìn)的硅芯片相比,卻是九牛一毛。


裝置示意圖。這一元件含有被電解質(zhì)分開的兩層聚合物薄膜,電解質(zhì)允許離子通過,但是不允許電子通過。施加在“前突觸”層(圖中上層)的電脈沖能夠改變后突觸層(下層)的氧化程度,從而影響源極與漏極之間導(dǎo)電能力


從某些角度來看,ENODe看起來更像是一枚電池,而不是一個(gè)晶體管。在ENODe內(nèi)部,具有兩層聚合物薄膜,這兩層薄膜被一種電解質(zhì)分隔開來,這種電解質(zhì)只允許質(zhì)子,而不允許電子通過。


除此之外,這個(gè)器件還擁有三個(gè)類似于晶體管的端極:流過“后突觸”薄膜的電流,會經(jīng)過其中的兩個(gè)端極;而第三個(gè)端極則與另一層薄膜(“前突觸”)相連接。在“前突觸端極”施加的電壓脈沖,將使得流經(jīng)電解質(zhì)的電荷流入或?qū)С觥昂笸挥|膜”。這一流動過程會導(dǎo)致氧化程度的變化,并會影響薄膜的電阻。該項(xiàng)研究發(fā)表于最近出版的《自然·材料》雜志上。


本文的共同作者,桑迪亞國家實(shí)驗(yàn)室的埃里克·塔林(Alec Talin)介紹說,其他人工突觸(二端極)的不足在于,從一種狀態(tài)切換到另一種狀態(tài),需要極高的能量。在通常情況下,若這些設(shè)備狀態(tài)轉(zhuǎn)換的能量壁壘較低,那么隨機(jī)的熱波動可以輕而易舉地克服這樣的能量壁壘,這將會導(dǎo)致器件的狀態(tài)切換完全是隨機(jī)的。塔林說,“(在二端極的)人工突觸根本沒辦法克服這一困難,因而如果你降低電壓,它會直接切回到原來的狀態(tài)”。


作者在文中表明,ENODe 是不存在這一問題的。ENODe與突觸狀態(tài)的“維持性”能量壁壘以及“控制性”能量壁壘無關(guān),因此,這一設(shè)備很好地避開了這一難解之題。其結(jié)果是,這一器件僅需要很低的電壓來進(jìn)行開關(guān)操作,但卻可以長時(shí)間地維持穩(wěn)定的狀態(tài)。塔林說:“這就像充電電池一樣。一旦你開始充電,它就能一直保持穩(wěn)定充電的狀態(tài)?!彼c斯坦福大學(xué)的阿爾伯托·薩里奧(Alberto Salleo)共同領(lǐng)導(dǎo)了這一研究。


這一新器件在1V的范圍內(nèi),可以表現(xiàn)出500種不同的導(dǎo)電率,并且在相鄰狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換所需要的電壓僅約為0.5毫伏。對于那些熟悉現(xiàn)代硅晶體管,亦或是習(xí)慣了伏安單位的人們來說,這絕對是一個(gè)聽起來小到難以置信的數(shù)字。然而,根據(jù)斯坦福新聞稿中所述的報(bào)道來看,這一器件消耗的能量仍然是生物突觸的10000倍。因此,器件的小型化將事半功倍地彌合這一巨大的鴻溝。


塔林還指出,“該器件所表現(xiàn)出的幾項(xiàng)突出電氣性能,使其特別適合應(yīng)用于仿制大腦神經(jīng)計(jì)算芯片。與此同時(shí),能夠應(yīng)用于制造該器件的同種材料已經(jīng)被用于連接活性腦細(xì)胞。這將會使得人工突觸計(jì)算,或通過電路連接活性生物細(xì)胞成為可能。我們認(rèn)為,創(chuàng)建更好的大腦-機(jī)器交互,將在未來產(chǎn)生極其深遠(yuǎn)的影響?!?/span>


為了演示這些設(shè)備如何進(jìn)行工作,研究人員構(gòu)建了一個(gè)簡單的電路,并展示了舉世聞名的“巴甫洛夫?qū)W習(xí)過程”。這一過程將證實(shí)如何將“一個(gè)信號”與“另一個(gè)信號”相關(guān)聯(lián),就如同“響鈴”與“食物”這二者間的關(guān)系一樣。該團(tuán)隊(duì)還模擬了這一器件在與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)合到一起時(shí)的性能表現(xiàn),并測試了其手寫字符識別的能力。


塔林說,“研究人員的下一步計(jì)劃,將建立一個(gè)包含這些器件的陣列,用于展示這些器件在一個(gè)真實(shí)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的能力。在這次設(shè)備的處子秀中,狀態(tài)切換大約花了10毫秒。我們會計(jì)劃逐步提高這一設(shè)備的速度?!?/span>


編輯:胡仲略 

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