3月19日消息 據(jù)央視新聞客戶端報(bào)道，3月19日復(fù)旦大學(xué)修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)在材料領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)期刊《自然·材料》上發(fā)表最新研究論文，論文名為《外爾半金屬砷化鈮納米帶中的超高電導(dǎo)率》，該團(tuán)隊(duì)在論文中稱已制備出二維體系中具有目前已知最高導(dǎo)電率的外爾半金屬材料-砷化鈮納米帶。
報(bào)道稱，修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)新研制的砷化鈮納米帶材料，電導(dǎo)率是銅薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。同時(shí)，區(qū)別于超導(dǎo)材料只能在零下幾十度超低溫下應(yīng)用，新材料砷化鈮的高電導(dǎo)機(jī)制即使在室溫下仍然有效。這一發(fā)現(xiàn)也為材料科學(xué)尋找高性能導(dǎo)體提供了一個(gè)可行思路，在降低電子器件能耗等方面有重大價(jià)值。
復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系教授修發(fā)賢稱，我們的手機(jī)發(fā)熱、電腦發(fā)熱是有兩個(gè)原因，晶體管本身的發(fā)熱和電流流經(jīng)這些（互連）導(dǎo)線所產(chǎn)生的導(dǎo)線發(fā)熱，而我們的這個(gè)材料就可以在這一方面有所用途。
導(dǎo)電材料是電子工業(yè)的基礎(chǔ)，現(xiàn)在最主要的材料是銅，已大規(guī)模用于晶體管的互連導(dǎo)線。信息時(shí)代，計(jì)算機(jī)和智能設(shè)備體積越來越小，而當(dāng)銅變得很薄，進(jìn)入二維尺度時(shí)，電阻變大，導(dǎo)電性迅速變差，功耗大幅度增加。這也是制約芯片等集成電路技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的重要瓶頸。
如今這種超導(dǎo)新材料的出現(xiàn)，將會(huì)使得電子設(shè)備的功耗大大降低，同時(shí)，更加令人驚喜的是，它可以在室溫的條件下進(jìn)行繼續(xù)發(fā)揮作用（在此之前，最接近常溫的超導(dǎo)材料是LaH10（氫化鑭），但也仍然需要在-23°c的環(huán)境下才有超導(dǎo)現(xiàn)象），這也就是說，在日常的工作場(chǎng)景中，這種材料將具有更多的實(shí)用價(jià)值。期待這項(xiàng)技術(shù)早日走出實(shí)驗(yàn)室，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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