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3D閃存,176層了!像不像建大樓!

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。

美光、Intel合作時(shí),走的是浮動(dòng)?xùn)艠O閃存單元架構(gòu),獨(dú)立后轉(zhuǎn)向電荷捕獲(charge-trap)閃存單元架構(gòu),第一代為128層堆疊,但更多的是過渡性質(zhì),用來發(fā)現(xiàn)、解決新架構(gòu)設(shè)計(jì)的各種問題。

正因如此,美光全新176層堆疊閃存所取代的,其實(shí)是96層堆疊。

據(jù)了解,美光176層閃存其實(shí)是基于兩個(gè)88層疊加而成,第一批為TLC顆粒,單個(gè)Die的容量為512Gb(64GB),當(dāng)然后期很可能會(huì)加入QLC。

得益于新的閃存架構(gòu)和堆疊技術(shù),美光將176層的厚度壓縮在了45微米,基本和早期的64層浮動(dòng)?xùn)艠O3D NAND差不多。

這樣,即使在一顆芯片內(nèi)封裝16個(gè)Die,做到1TB的單顆容量,厚度也不會(huì)超過1.5毫米,可以輕松放入智能手機(jī)、存儲(chǔ)卡。

傳輸速率提高至1600MT/s,而此前96/128層的都是1200MT/s,讀寫延遲相比96層改進(jìn)35%,相比128層改進(jìn)25%,混合負(fù)載性能相比96層改進(jìn)15%。

美光表示,176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)出貨,并用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級(jí)SSD,明年還會(huì)發(fā)布更多新產(chǎn)品,但沒有確認(rèn)具體產(chǎn)品型號(hào)。

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