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在堺第10代工廠制作的LTPS液晶面板 屏幕尺寸為19.5英寸，像素數(shù)為4K（3840×2160），精細(xì)度為226ppi。（點(diǎn)擊放大）

試制面板的主要性能參數(shù)（點(diǎn)擊放大）

【日經(jīng)BP社報道】堺顯示器產(chǎn)品公司（SDP）在使用全球最大尺寸（2880mm×3130mm）玻璃基板的該公司第10代液晶工廠，成功試制了低溫多晶硅（LTPS）TFT液晶面板。該公司在日前舉行的顯示器學(xué)會“SID 2016”的開發(fā)人員見面會上首次公開了試制品（發(fā)表序號：67.1）。據(jù)介紹，這是在堺工廠制作的第一款低溫多晶硅TFT液晶面板，屏幕尺寸為19.5英寸，像素數(shù)為4K（3840×2160），精細(xì)度為226ppi。

SDP計劃2017年初開始制造采用該技術(shù)的柵極驅(qū)動電路一體型8K高精細(xì)（326ppi）液晶面板。此次發(fā)布的LTPS技術(shù)設(shè)想在堺的第10代工廠導(dǎo)入，用于量產(chǎn)8K等大型高精細(xì)液晶電視和大型有機(jī)EL電視使用的面板。據(jù)介紹，從現(xiàn)有的非晶硅TFT工廠進(jìn)行轉(zhuǎn)換所需的追加投資成本較少，還有望實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)效率。追加投資成本只有向采用以往技術(shù)的LTPS TFT生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換時的1/9，向IGZO TFT生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換時的1/2。

那么，為何采用LTPS呢？原因是，與現(xiàn)在的大型面板使用的非晶硅TFT相比，LTPS TFT的載流子遷移率高，容易驅(qū)動8K等高精細(xì)液晶面板和元件通電的有機(jī)EL面板。不過，LTPS此前只被用于利用第6代以下基板制造的中小型面板。原因在于制造裝置。LTPS是通過向大型液晶面板使用的非晶硅膜照射激光進(jìn)行退火，使熔化的硅重新結(jié)晶制作而成的。但以往的激光退火技術(shù)沒有支持第10代大型玻璃基板的裝置，最多只能支持第6代基板。

因此，SDP導(dǎo)入了能支持第10代大型玻璃基板的全新激光退火技術(shù)，也就是能夠精密地局部照射激光的局部激光退火技術(shù)。該公司把利用該技術(shù)制作的多晶硅稱為“PLAS（Partial Laser Anneal Silicon）”?，F(xiàn)在的LTPS工廠都是采用通過光束線對整面基板進(jìn)行退火的準(zhǔn)分子激光退火技術(shù)。

局部激光退火技術(shù)的特點(diǎn)是，無需像以往技術(shù)那樣向整面基板照射激光，因此激光退火工序的處理時間可以縮短一位數(shù)。另外，以往的LTPS采用頂柵結(jié)構(gòu)，而采用局部激光退火技術(shù)的LTPS可以直接使用非晶硅TFT的底柵結(jié)構(gòu)。而且無需導(dǎo)入像IGZO那樣的新材料。因此，堺第10代工廠等非晶硅TFT生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)“LTPS化”時，優(yōu)點(diǎn)是追加的成膜工序、光刻工序以及相應(yīng)的制造裝置比較少。

利用局部激光退火技術(shù)制作的LTPS TFT的載流子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于非晶硅，與IGZO為同等水平。利用第2.5代試產(chǎn)線制作的TFT的載流子遷移率為28.1cm²。（記者：田中直樹）