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一、單極型晶體管

　　單極型晶體管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管。

　　特點(diǎn)：
　　輸入電阻高，可達(dá)10⁷ ~ 10¹⁵ Ω，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET) 可高達(dá) 10¹⁵ Ω。
　　噪聲低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡(jiǎn)單，易集成，器件特性便于控制，功耗小，體積小，成本低。

　　分類：
　　根據(jù)材料的不同可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET (Junction Field Effect Transistor)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管IGFET(Insulated Gate FET) 。

　　二、雙極型晶體管

　　雙極型晶體管也稱晶體三極管，它是一種電流控制型器件，由輸入電流控制輸出電流，其本身具有電流放大作用。它工作時(shí)有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電過程，故稱為雙極型三極管。

　　特點(diǎn)：
　　三極管可用來對(duì)微弱信號(hào)進(jìn)行放大和作無觸點(diǎn)開關(guān)。它具有結(jié)構(gòu)牢固、壽命長(zhǎng)、體積小、耗電省等一系列獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，故在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

　　分類：
　　根據(jù)材料的不同晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。
　　硅三極管的反向漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極管的增益大，頻率響應(yīng)好，尤其適用于低壓線路。