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有機(jī)場效應(yīng)晶體管

英文全稱：organic fieldeffect tran-sisbor  

簡稱：OFET

有機(jī)場效應(yīng)晶體管組成

源極source+漏極drain+柵極gate+有機(jī)半導(dǎo)體層+柵絕緣層

所以重點(diǎn)在有機(jī)半導(dǎo)體上，而我們?nèi)粘Ｊ褂玫亩际怯袡C(jī)半導(dǎo)體，這個(gè)概念有機(jī)場效應(yīng)管基本上就是我們常說的場效應(yīng)管。

無機(jī)場效應(yīng)管很少見。

有機(jī)場效應(yīng)晶體管分類

底柵頁接觸式+底柵底接觸式+頂柵頂接觸式+項(xiàng)柵底接觸式

如下圖所示

工作原理

在底柵底接觸中，載流子直接從電極邊緣注入導(dǎo)電溝道中；

在底柵頂接觸中，有機(jī)半導(dǎo)體把源漏電極和導(dǎo)電溝道隔開，從電極向?qū)щ姕系雷⑷氲妮d流子穿過有機(jī)半導(dǎo)體層才能到達(dá)導(dǎo)電溝道中，

因增加接觸電阻而導(dǎo)致載流子注入效率降低，

但此結(jié)構(gòu)的電子元器件因電極與有機(jī)半導(dǎo)體接觸面積大，在有機(jī)半導(dǎo)體層很薄時(shí)，接觸電阻變得很?。?/span>

因項(xiàng)接觸是有機(jī)半導(dǎo)體材料直接沉積在絕緣層上，膜質(zhì)量優(yōu)質(zhì)，電子元器件性能比底接觸好。

有機(jī)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)

它像電容器

源極，漏極，有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的導(dǎo)電溝道可看作一個(gè)極板，柵極可作一個(gè)極板；

柵源間間從VGS負(fù)電壓，絕緣層附近半導(dǎo)體層中感應(yīng)出帶正電的空穴，柵極處會積祟帶負(fù)電電子；

可通過調(diào)節(jié)絕緣層中電場強(qiáng)度即可調(diào)節(jié)源漏間電流；

因：源漏間加負(fù)電壓VDS，即源漏間產(chǎn)生電流IDS，調(diào)節(jié)VGS與Vns可調(diào)節(jié)絕緣層中電場強(qiáng)度；

隨電場強(qiáng)度不同，感應(yīng)電荷密度也不同，源漏間導(dǎo)電通道寬窄也不同，源漏間電流也會改變。